Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM CL15 M471A1G43EB1-CPB / Описание
- Марка: Samsung
- Нет в наличии
- Отложить
- Оставить отзыв о товаре
P/N M471A1K43DBO-CPB CL15 15-15-15-36
P/N M471A1K43DBO-CPB CL15 15-15-15-36
Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR4 16Гб Samsung M471A1G43EB1-CTD 2666MHz (PC-21300) 260pin, 1.2V, Retail
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung DDR4 1600 SO-DIMM 8Gb пропускная способность PC17000 p/n: M391A1G43DB0-CPB SOKHA 107303352D7DC 1730 8Gb 2Rx8 PC4-2133P-SEO-10 DDR4 SO-DIMM Оперативная память SODIMM Samsung формата DDR4 имеет ряд важных преимуществ по сравнению
Оперативная память Samsung M393A2G40DB0-CPB, DDR4, 16 Гб, 17000 ОЕМ Мы тестируем весь наш товар перед отправкой! Характеристики Объем памяти комплекта 16 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота
Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR4 8ГБ Samsung M471A1K43DB0-CPB 2133MHz (PC4-17000) 260-Pin, 1.2V, Retail
Оперативная память SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CTD] изготовлена с использованием качественных компонентов и материалов, за счет чего отличается высокой надежностью и стабильностью работы вне зависимости от того, насколько сложные задачи выполняются. Модель имеет объем 8 ГБ и отличается
объем памяти: 32 ГБтип: DDR4 LRDIMM 288-pinтактовая частота: 2133 МГцтайминги: 15-15-15напряжение питания: 1.2 Впропускная способность: PC17000буферизованная (Registered): даподдержка ECC: да
Модуль оперативной памяти M393A4K40BB0-CPB0Q 32 ГБ DDR4 2133 МГц DIMM CL15 от Samsung - это высококачественный и надежный модуль памяти, который обеспечивает высокую скорость и стабильность работы вашего оборудования. Благодаря тактовой частоте 2133 МГц и пропускной
Модуль памяти Samsung DDR4 SO-DIMM 8 ГБ 3200MHz CL19 Код модели: M471A1K43CB1-CTD Полный аналог: M471A1K43EB1-CWE SODIMM DDR4 8Gb
Оперативная память SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CTD] изготовлена с использованием качественных компонентов и материалов, за счет чего отличается высокой надежностью и стабильностью работы вне зависимости от того, насколько сложные задачи выполняются. Модель имеет объем 8 ГБ и отличается
Стандарт: DDR4Форм-фактор: SODIMMОбъем одного модуля: 8 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объем: 8 ГБЭффективная частота: 2666 МГцПропускная способность: 21300 Мб/сПоддержка ECC: НетБуферизованная (регистровая): НетНизкопрофильная: НетКоличество контактов: 260CAS Latency (CL): 19Напряжение питания (В): 1.2 ВНормальная операционная