-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM CL15 M471A1G43EB1-CPB
P/N M471A1K43DBO-CPB CL15 15-15-15-36
-
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A2K43CB1-CTD
Тип памяти DDR4 Форм-фактор SODIMM 260-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 1 модуль 16 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 19 RAS to CAS
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43CB1-CTD00
Стандарт: DDR4Форм-фактор: SODIMMОбъем одного модуля: 8 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объем: 8 ГБЭффективная частота: 2666 МГцПропускная способность: 21300 Мб/сПоддержка ECC: НетБуферизованная (регистровая): НетНизкопрофильная: НетКоличество контактов: 260CAS Latency (CL): 19Напряжение питания (В): 1.2 ВНормальная операционная
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A5244CB0-CTD
Память SO-DIMM DDR4 4Gb 2666MHz Samsung [M471A5244CB0-CTD] - это 4-гигабайтная оперативная память SODIMM, выпущенная легендарным производителем компьютерной и другой техники Samsung. Память соответствует типу DDR4, который в настоящее время является самым распространенным. Память рассчитана на интенсивную
-
Оперативная память Samsung DDR4 8Gb 2666 МГц 1x8 ГБ SODMM для ноутбука M471A1K43CB1-CTD
Модуль памяти Samsung DDR4 SO-DIMM 8 ГБ 2666MHz CL19 M471A1K43CB1-CTD
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
Оперативная память SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CWE] великолепно подходит для комплектации ноутбуков и мини-ПК, рассчитанных на достижение общего уровня производительности, значительно превышающего средний. Объем модуля равен 8 ГБ. Основные характеристики памяти красноречивы: тактовая частота равна 3200 МГц, а
-
Samsung Оперативная память DDR4 8Gb 3200 МГц 1x8 ГБ SODIMM для ноутбука M471A1K43EB1-CWE
Модуль памяти Samsung DDR4 SO-DIMM 8 ГБ 3200MHz CL19 Код модели: M471A1K43CB1-CTD Полный аналог: M471A1K43EB1-CWE SODIMM DDR4 8Gb
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43DB1-CTDD0
Оперативная память SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CTD] изготовлена с использованием качественных компонентов и материалов, за счет чего отличается высокой надежностью и стабильностью работы вне зависимости от того, насколько сложные задачи выполняются. Модель имеет объем 8 ГБ и отличается
-
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A2K43DB1-CTD DDR4
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A2K43DB1-CTD DDR4 p/n: M471A2K43DB1-CTD 8 Gb 2Rx8 pc4-2666V
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M391A1K43BB2-CTD
DDR4, объём: 1 модуль на 8Gb, тактовая частота: 2666 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-21300, поддержка ECC: есть, Low Profile: нет, Registered: нет (M391A1K43BB2-CTDQY)