-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM CL15 M471A1G43EB1-CPB
P/N M471A1K43DBO-CPB CL15 15-15-15-36
-
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2133 МГц DIMM CL15 M393A2G40DB0-CPB
Оперативная память Samsung M393A2G40DB0-CPB, DDR4, 16 Гб, 17000 ОЕМ Мы тестируем весь наш товар перед отправкой! Характеристики Объем памяти комплекта 16 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M391A1K43DB2-CWEQY
Бренд SAMSUNG PartNumber/Артикул Производителя M391A1K43DB2-CWE PartNumber для Сборных Станций M393A1K43DB2-CWE Тип DDR4 Емкость одного модуля 8192 Количество модулей 1 Частотная спецификация 3200 Тип поставки OEM Форм-фактор DIMM Показатель скорости PC4-25600 Error Checking and Correction (ECC) ДА
-
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2133 МГц LRDIMM CL15 M386A4G40DM0-CPB2Q
объем памяти: 32 ГБ тип: DDR4 LRDIMM 288-pin тактовая частота: 2133 МГц тайминги: 15-15-15 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC17000 буферизованная (Registered): да поддержка ECC: да
-
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2133 МГц DIMM CL15 M393A4K40BB0-CPB
Модуль оперативной памяти M393A4K40BB0-CPB0Q 32 ГБ DDR4 2133 МГц DIMM CL15 от Samsung - это высококачественный и надежный модуль памяти, который обеспечивает высокую скорость и стабильность работы вашего оборудования. Благодаря тактовой частоте 2133 МГц и пропускной
-
Оперативная память Samsung DDR4 2133 МГц SODIMM CL15
Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR4 8ГБ Samsung M471A1K43DB0-CPB 2133MHz (PC4-17000) 260-Pin, 1.2V, Retail
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M391A1K43BB2-CTD
DDR4, объём: 1 модуль на 8Gb, тактовая частота: 2666 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-21300, поддержка ECC: есть, Low Profile: нет, Registered: нет (M391A1K43BB2-CTDQY)
-
Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M391A4G43BB1-CWE
Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 22 масса(кг) 0.08 GTD Number 10005030/030523/3114996 GTIN 02772101075659 Cтрана-производитель корея, республика Партномер M391A4G43BB1-CWE RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) -
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43DB1-CTDD0
Оперативная память SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CTD] изготовлена с использованием качественных компонентов и материалов, за счет чего отличается высокой надежностью и стабильностью работы вне зависимости от того, насколько сложные задачи выполняются. Модель имеет объем 8 ГБ и отличается
-
Оперативная память Samsung 2933 МГц DIMM CL21 M391A1K43DB2-CVFQY
Назначение: для системного блока Тип поставки: один модуль 1x8Гб Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: DIMM 288-контактный Тактовая частота:2933 МГц Пропускная способность:23400 Мб/с Поддержка ECC: нет Буферизованная: нет Латентность: CL21 Тайминги:21-21-21 Подсветка: нет Объем одного модуля:8 Гб Кол-во