-
Оперативная память QNAP 16 ГБ DIMM CL17 RAM-16GDR4ECT0-UD-2666
Оперативная память 16 ГБ DDR4, 2666 МГц, UDIMM ECC Объем16 ГБ Тип памятиDDR4 Форм-фактор288-контактный Тактовая частота2666 МГц Спецификация1G X 8 Поддержка ECCECC Напряжение питания1,2 B Организация DRAM2048M*72 Температура0 — 85? Экологический регламентRoHSМодуль оперативной памяти для сетевых
-
Оперативная память QNAP 16 ГБ 2400 МГц DIMM CL15 RAM-16GDR4A0-UD-2400
Тип: Модуль памяти; Описание: Оперативная память; Характеристики: Оперативная память 16 ГБ DDR4, 2400 МГц, UDIMM; Совместимость: Для моделей: TS-873U, TS-873U-RP, TS-1273U, TS-1273U-RP, TS-1673U, TS-1673U-RP; Прочие особенности: н/д; Габариты: н/д
-
Оперативная память QNAP 8 ГБ DIMM CL17
Оперативная память 8 ГБ DDR4, 2400 МГц, R-DIMM ECC Объем8 ГБ Тип памятиDDR4 Форм-фактор288-контактный Тактовая частота2400 МГц Спецификация1G X 8 Поддержка ECCECC Напряжение питания1,2 B Организация DRAM1024M*72 Температура0 — 85? Экологический регламентRoHSМодуль оперативной памяти для сетевых
-
Оперативная память QNAP 4 ГБ SODIMM CL11 RAM-4GDR3LA0-SO-1866
ХарактеристикиТипDDR3LФорм-факторSODIMMКоличество модулей в комплекте1 шт. Объем одного модуля4 ГБТактовая частота1866 МГцПропускная способностьPC14900CL11Напряжение питания1.2 ВКоличество контактов204ДополнительноСрок службы1 г. Гарантийный срок1 г.
-
Оперативная память QNAP 8 ГБ SODIMM CL11 RAM-8GDR3-SO-1600
EANCode 4712511125344… adpar_property_list td > span, . adpar_property_list td > … adpar_property_list tr td: first-child { text-align: left; padding-right: 10px; padding-left: 0px; }… adpar_property_list tr td: first-child > span,… adpar_property_list tr td: first-child > … adpar_property_list
-
Оперативная память QNAP 2 ГБ DDR3 SODIMM CL11 RAM-2GDR3LK0-SO-1600
Тип: Модуль памяти; Описание: Модуль оперативной памяти; Характеристики: Объем: 2 ГБ, Тип памяти: DDR3L, Форм-фактор: SODIMM 204-контактный, Тактовая частота: 1600 МГц, Пропускная способность: 12800 Мб/с, Напряжение питания: 1,35 B; Совместимость: Модуль оперативной памяти для сетевых накопителей:
-
Оперативная память HUAWEI 16 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 06200213
Серверная оперативная память Huawei P/N: 06200213 способна обеспечить быструю и стабильную обработку различных приложений при экономичном потреблении энергии. Память стандарта DDR4 обладает емкостью 16 ГБ и работает на тактовой частоте с показателем 2400 МГц. Технология ECC
-
Оперативная память QNAP 4 ГБ DDR3L SODIMM CL11 RAM-4GDR3L-SO-1600
Оперативная память 4 ГБ DDR3L, 1600 МГц, SO-DIMM Объем 4 ГБ Тип памяти DDR3L Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Напряжение питания 1,35 B Модуль оперативной памяти для сетевых накопителей: TS-451+,
-
Оперативная память Kingston ValueRAM 4 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 KVR24N17S6 / 4
Activate to Precharge Delay (tRAS) 32 CAS Latency (CL) 17 масса(кг) 0.03 GTD Number 10005030/080323/3057015 GTIN 00740617273915 Cтрана-производитель Китай Партномер KVR24N17S6/4 RAS to CAS Delay (tRCD) 17 Row Precharge Delay (tRP) 17 Вес (грамм) - Высота
-
Оперативная память Kingston ValueRAM 8 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 KVR24N17S8 / 8
Оперативная память Kingston ValueRAM 8 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 KVR24N17S8/8 - это высококачественный модуль памяти, который обеспечивает стабильную и быструю работу вашего компьютера. Тактовая частота 2400 МГц и пропускная способность PC19200 обеспечивают высокую скорость