-
Оперативная память QNAP 8 ГБ SODIMM CL11 RAM-8GDR3-SO-1600
EANCode 4712511125344… adpar_property_list td > span, . adpar_property_list td > … adpar_property_list tr td: first-child { text-align: left; padding-right: 10px; padding-left: 0px; }… adpar_property_list tr td: first-child > span,… adpar_property_list tr td: first-child > … adpar_property_list
-
Оперативная память QNAP 4 ГБ DDR3L SODIMM CL11 RAM-4GDR3L-SO-1600
Оперативная память 4 ГБ DDR3L, 1600 МГц, SO-DIMM Объем 4 ГБ Тип памяти DDR3L Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Напряжение питания 1,35 B Модуль оперативной памяти для сетевых накопителей: TS-451+,
-
Оперативная память QNAP 4 ГБ SODIMM CL11 RAM-4GDR3LA0-SO-1866
ХарактеристикиТипDDR3LФорм-факторSODIMMКоличество модулей в комплекте1 шт. Объем одного модуля4 ГБТактовая частота1866 МГцПропускная способностьPC14900CL11Напряжение питания1.2 ВКоличество контактов204ДополнительноСрок службы1 г. Гарантийный срок1 г.
-
Оперативная память Kingston ValueRAM 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 KVR16S11S8 / 4
Описание Kingston DDR-III 4GB (PC3-12800) 1600MHz SO-DIMM SR X8Производитель KingstonСерия ValueRAMМодель KVR16S11S8/4Тип оборудования Модуль памяти SO-DIMM DDR3Объем модуля памяти 4 Гбнайти похожую памятьКоличество модулей в комплекте 1ПроизводительностьЧастота функционирования до 1600 МГцСтандарт памяти PC3-12800 (DDR3 1600 МГц)Пропускная
-
Оперативная память Kingston 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 KVR16S11 / 4
Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 11
-
Оперативная память Silicon Power 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11
CAS Latency (CL): 11; Напряжение питания: 1.35 В; Частота: 1600 МГц; Тип: DDR3L; Объем RAM: 8192 GB; Форм-фактор: SO-DIMM; Бренд производителя: Silicon Power
-
Оперативная память DIGMA DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 1784232
-
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273DH0-CK0
Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: Samsung M471B5173BH0-CK0Samsung M471B5273DH0-CK0Samsung M471B5273CH0-CK0Samsung M471B5173BH0-CK0Samsung M471B5273EB0-CK0Обратите внимание, что данная модель памяти имеет параметр питания 1.5V, например на процессорах Intel 4-ого поколения (Haswell) -
-
Rocknparts Оперативная память Kingston 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 KVR16S11 / 4
-
Оперативная память Foxline 8 ГБ DDR3 SODIMM CL11 FL1600D3S11-8G
Миниатюрные размеры модуля памяти Foxline делают его подходящим для использования в ноутбуках. Достаточно высокая частота этого модуля оперативной памяти обеспечивает его высокую производительность (этот параметр легко можно отследить с помощью стандартного теста, проведенного любой операционной системой).