Оперативная память из магазина Яндекс.Маркет в алфавитном порядке - 39-я страница
Выбранным настройкам фильтра соответствует 2563 предложения.
-
Оперативная память Samsung DDR 400 МГц DIMM CL3 M368L6523CUS - CCC
Модуль памяти m368l6523cus-ccc, DDR, 512 Мб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
-
Оперативная память Samsung DDR 400 МГц DIMM M368L6423ETM-CCC
2075 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR2 400 МГц DIMM M393T2950CZ3-CCC
9320 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR2 400 МГц DIMM M393T6553CZ3-CCC
3755 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR2 533 МГц DIMM CL4 m378t6553ez3-cd5
Модуль памяти m378t6553ez3-cd5, DDR2, 512 Мб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
-
Оперативная память Samsung DDR2 667 МГц DIMM M391T5663AZ3-CE6
10685 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR2 667 МГц DIMM M393T5660QZA-CE6
3860 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR2 800 МГц DIMM M378T6464EHS-CF7
1550 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR3 1066 МГц DIMM CL7
Модуль памяти DDR3 8GB PC3-10660 1333MHz ECC REG M393B1K73DH0-YF809
3500 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR3 1066 МГц DIMM M393B5170DZ1-CF8
62765 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR3 1333 МГц DIMM CL11 M378B1G73DH0-CK0
Оперативная память для компьютера DIMM DDR3 8ГБ Samsung M378B1G73DH0-CK0 1333MHz (PC3-10600) 240-Pin, 1.5V, Retail
2990 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR3 1333 МГц DIMM CL9 M471B5273DH0-CH9
Суммарный объем памяти 8 ГБЕмкость одного модуля 8 ГБТип памяти DDR3Пропускная способность, Мб/с 10600Тактовая частота, МГц 1333Количество модулей в комплекте 1Форм-фактор RAM DIMMРадиатор НетCAS Latency (CL) 11 тактовТайминги 9-9-9-30 Модуль памяти (оперативная память, RAM) для персонального
3690 1479 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR3 1866 МГц DIMM CL13 M393B1K70QB0-CMA
Модуль памяти Samsung 8GB PC3-14900 DDR3-1866MH ECC Registered CL13 240-Pin DIMM Dual Rank M393B1K70QB0-CMA
15000 12000 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR3 4GB 1600 1.3V PC3L-12800S sodimm для ноутбука
В комплекте 1шт Оперативная память SODIMM от Samsung DDR3 объемом 4 Гб на частоте 1600 МГц с напряжением питания 1.35В и типом памяти PC3L - 12800С (L обозначает low power) - это отличный выбор для ноутбуков,
1800 1150 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR3 4GB 1600 1.3V PC3L-12800S sodimm для ноутбука 2шт
В комплекте 2шт Оперативная память SODIMM от Samsung DDR3 объемом 4 Гб на частоте 1600 МГц с напряжением питания 1.35В и типом памяти PC3L - 12800С (L обозначает low power) - это отличный выбор для ноутбуков,
3200 2200 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR3 4GB 1600 1.5v SO-DIMM для ноутбука
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 8Gb 1.5v -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2011-2013й год-Intel: i3-2го i3-3го (поколения)-Intel: i5-2го i5-3го (поколения)-Intel: i7-2го i7-3го (поколения)-на всю серию N**** -AMDA4-4400, A8-3500M, A8-4500M,
1800 1100 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR3 4Gb DIMM (M378B5273DH0)
Коротко о товаре: Оперативная память Samsung DDR3 4Gb DIMM
1435 933 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память SAMSUNG DDR3 8gb 1600 1.5v SO-DIMM
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 8Gb 1.5v 2Rx8 PC3-12800S-11-11-F3 DDR3 1.5v SO-DIMM -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2010-2015й год иногда 2016-Intel: i3-2го i3-3го (поколения)-Intel: i5-2го i5-3го (поколения)-Intel: i7-2го i7-3го
2400 1450 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR3 8GB 1600МГц PC3L-12800S 1.3V sodimm для ноутбука 2шт
В комплекте 2шт Оперативная память Samsung DDR3L – это надежный и быстрый способ увеличить производительность вашего ноутбука. Она обеспечивает высокую скорость работы и плавность переключения между приложениями. Благодаря поддержке частоты до 1600 МГц, вы можете быть
3950 3000 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR3L 1333 МГц DIMM CL9 M393B2K70DMB-YH9
Тип памяти DDR3L Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Пропускная способность 10600 Мб/с Объем 1 модуль 16 Гб Поддержка ECC есть Количество чипов каждого модуля 36, двусторонняя упаковка
-
Оперативная память Samsung DDR3L 1333 МГц LRDIMM CL9 M386B4G70BM0-YH9
Тип памяти DDR3L Форм-фактор LRDIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Пропускная способность 10600 МБ/с Объем 1 модуль 32 ГБ Поддержка ECC есть Буферизованная (Registered) да Низкопрофильная (Low Profile) нет
-
Оперативная память Samsung DDR3L 1600 МГц DIMM CL11
Память оперативная DDR3L 8Gb PC12800R 1600MHz, ECC Samsung [M393B1G70DH0-YKO]
4450 3710 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR3L 8 ГБ 1600 / 12800S 1.3v 2Rx8 SODIMM для ноутбука
Оперативная память Samsung DRR3L - это надежный и качественный продукт от известного бренда, который зарекомендовал себя на рынке компьютерной техники. Эта оперативная память имеет объем 8 ГБ и тактовую частоту 1600 МГц, что обеспечивает высокую производительность
2290 1500 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR4 2133 МГц SODIMM CL15
Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR4 8ГБ Samsung M471A1K43DB0-CPB 2133MHz (PC4-17000) 260-Pin, 1.2V, Retail
3600 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR4 2666 МГц 1x16 ГБ SODMM для ноутбука
Модуль памяти Samsung DDR4 SO-DIMM 16 ГБ 2666MHz CL19 Маркировка: M378A2K43CB1-CRC Аналог: M471A1K43CB1-CTD
5990 4257 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR4 2666 МГц SODIMM M471A1G43EB1-CTD
Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR4 16Гб Samsung M471A1G43EB1-CTD 2666MHz (PC-21300) 260pin, 1.2V, Retail
6800 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR4 2933 МГц SODIMM CL21 M474A2K43DB1-CVF
Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR4 16Гб Samsung M474A2K43DB1-CVF non-ECC 2933MHz (PC-23400) 260pin, 1.2V, Retail
7463 4851 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M391A2G43BB2-CWEQY
Модуль памяти Samsung DDR4 16Gb DIMM (PC4-25600) (M391A2G43BB2-CWEQY) вес брутто: . вес нетто товара: . Гарантийный срок: 36 МЕС. Напряжение: 1.2 v. Объем памяти: 16 ГБ. Рабочая частота: 3.2 ГГЦ. Тип памяти: DDR4. Форм-фактор памяти: RDIMM.
59670 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M391A4G43BB1-CWE
Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 22 масса(кг) 0.08 GTD Number 10005030/030523/3114996 GTIN 02772101075659 Cтрана-производитель корея, республика Партномер M391A4G43BB1-CWE RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) -
от 12699 до 14454 р. -
Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4G40BB3-CWE
Оперативная память DDR4 RDIMM с тактовой частотой 3200 MHz, серия модуля PC4-25600, пропускная способность 25600 MB/s Registered. Форм-фактор модуля RDIMM с высотой 31 мм. напряжение 1.2 В. Samsung M393A4G40BB3-CWE
от 13490 до 14690 р. -
Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц LRDIMM CL22 M393A2K43FB3-CWE
Назначение: для сервера Тип поставки: один модуль 1x16Гб Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: RDIMM Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Поддержка ECC: да Буферизованная (RDIMM): да Латентность: CL22 Объем одного модуля:16 Гб Кол-во модулей в упаковке:1 шт.
-
Оперативная память Samsung DDR4 8Gb 2666 МГц 1x8 ГБ SODMM для ноутбука M471A1K43CB1-CTD
Модуль памяти Samsung DDR4 SO-DIMM 8 ГБ 2666MHz CL19 M471A1K43CB1-CTD
6200 2590 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR4 8GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V (M393A1K43DB2-CWE)
Наименование: Оперативная память Samsung DDR4 8GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V (M393A1K43DB2-CWE), 1 year-CWEGYГабариты в упаковке: 0,1 x 3 x 13,5 см (ШхВхД)Вес в упаковке: 0,01 кгГарантия: 1 год Тип оперативной памяти DDR4 Частота функционирования,
5997 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR4 DIMM CL22 M391A4G43AB1-CWE
Количество модулей в комплекте 2Поддержка ECC ДаТип оперативной памяти DDR4Частота функционирования, МГц 3200Пропускная способность, Мб/сек. 25600Объём, Мб 32768Количество контактов 288Форм-фактор оперативной памяти DIMMНапряжение, В 1.2000
15160 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR5 32Gb 5600Mhz pc-44800 CL46 1.1V (M323R4GA3DB0-CWM)
Модель BBIM11301B Бренд BEKO PartNumber/Артикул Производителя 7768282912 Длина упаковки (ед) 0.655 Ширина упаковки (ед) 0.655 Высота упаковки (ед) 0.64 Габариты упаковки (ед) ДхШхВ 0.655x0.655x0.64 Вес упаковки (ед) 31.5 Объем упаковки (ед) 0.274576 Тип духовки электрическая Цвет
-
Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц DIMM CL40 M321R4GA0BB0-CQK
Назначение: для сервера Тип поставки: один модуль 1x32Гб Тип памяти: DDR5 Форм-фактор: RDIMM Тактовая частота:4800 МГц Пропускная способность:38400 Мб/с Поддержка ECC: да Буферизованная (RDIMM): нет Латентность: н. д. Объем одного модуля:32 Гб Кол-во модулей в упаковке:1
-
Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц RDIMM CL40 M321R2GA3BB6-CQK
Предупреждение Данный модуль работоспособен только в серверных материнских платах и серверных платформах с поддержкой регистровой памяти. В обычных платах с DDR5 не работает Основные характеристики Производитель Samsung Модель M321R2GA3BB6-CQK Тип оборудования Модуль памяти Registered DDR5 Объем
от 6773 до 9030 р. -
Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц SODIMM CL40 M425R2GA3BB0-CQKOL
Название Память оперативная DDR5 Samsung 16Gb SO-DIMM DDR5 SEC (PC5-38400, 4800, CL40) 1.1V (M425R2GA3BB0-CQK). Тип DDR5. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 16 ГБ. Тактовая частота 4800 МГц. Пропускная способность PC38400.
от 6232 до 6480 р. -
Оперативная память Samsung DDR5 5600 МГц DIMM CL40 M323R1GB4DB0-CWM
8-гигабайтная оперативная память Samsung [M323R1GB4DB0-CWM] предназначена для оснащения производительных офисных и домашних компьютеров универсального назначения. Устройство соответствует типу DDR5. Тактовая частота модуля высока – 5600 МГц. Производительность памяти достаточна для эффективной работы любого типового программного обеспечения.
от 3339 до 3680 р. -
Оперативная память Samsung DDR5 DIMM CL40 M321R4GA3BB6-CQK
Оперативная память DDR5 RDIMM с тактовой частотой 4800 MHz, серия модуля PC5-38400, пропускная способность 38400 MB/s Registered. Форм-фактор модуля DIMM с высотой 31 мм. напряжение 1.1 В. Samsung M321R4GA3BB6-CQK
-
Оперативная память Samsung DIMM DDR2 2Гб 800 mhz для ПК 2 ШТ
Оперативная память 2 штуки Samsung DDR2 2Gb 800 MHz PC2-6400U M378T5663EH3-CF7 для Персонального компьютера.
2790 1700 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DIMM DDR3 8Гб 1600 mhz
Модуль памяти (оперативная память, RAM) для персонального компьютера Samsung DIMM DDR3 8Гб 1 600mhz. Напряжение питания 1.5V
3790 1479 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung H-ONE 32 ГБ DDR4 DIMM CL22 M378A4G43AB2-CWED0
Модель M378A4G43AB2-CWE Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-25600 Скорость (тест) 3200МГц Напряжение (тест) 1.2В Латентность CL22 Бренд SAMSUNG PartNumber/Артикул Производителя M378A4G43AB2-CWE Количество рангов (Ranks) dual rank Вес упаковки (ед) 0.032 Тип памяти DDR4 Объем 32768 Частотная
от 7577 до 9870 р. -
Оперативная память Samsung M393A4K40EB3-CWECQ 1x32 ГБ (M393A4K40EB3-CWECQ)
Память M393A4K40EB3-CWECQ от Samsung
13872 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung M471B5273DH0-YK0 1x4 ГБ DDR3L (M471B5273DH0-YK0)
Данные появятся в скором времени
1299 990 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung SODIMM DDR2 4Gb (2x2Gb) 800 mhz
Оперативная память для ноутбука Samsung DDR2 2Gb 800 MHz PC2-6400S M470T5663QZ3-CF7 для ноутбуков. Набор 2шт. Для ПК не подходит.
2690 1164 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung SODIMM DDR3 4Гб 1066 mhz
Оперативная память для ноутбука Samsung DDR3 4Gb 1066 MHz PC3-8500S M471B5673EH1-CF8
2950 990 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung SODIMM DDR3 4Гб 1333 mhz
Модуль памяти (оперативная память, RAM) Samsung SODIMM DDR3 4Гб 1333 mhz PC3-10600 Напряжение питания 1.5 Вольта (Может использоваться в ноутбуках где стандарт DDR3 (без L) DDR3L память может использоваться вместо DDR3 (в свою очередь DDR3 вместо
2490 1167 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung SODIMM DDR3 4Гб 1600 mhz
Модуль памяти (оперативная память, RAM) Samsung SODIMM DDR3 4Гб 1600 mhz PC3-12800S Напряжение питания 1.5 Вольта (Может использоваться в ноутбуках где стандарт DDR3 (без L) DDR3L память может использоваться вместо DDR3 (в свою очередь DDR3 вместо
2490 978 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung SODIMM DDR3 8Гб 1600 mhz 2 штуки
Модуль памяти (оперативная память, RAM) Samsung SODIMM DDR3 8Гб 1600 mhz PC3-12800S Напряжение питания 1.5 Вольта (Может использоваться в ноутбуках где стандарт DDR3 (без L) DDR3L память может использоваться вместо DDR3 (в свою очередь DDR3 вместо
4990 2990 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung SODIMM DDR3L 4Гб 1333 mhz
Модуль памяти (оперативная память, RAM) Samsung SODIMM DDR3L 4Гб 1333 mhz Напряжение питания 1.35В PC3L-12800S
2990 978 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Silicon Power 16 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17
Бренд: SILICON POWERТип памяти: DDR4Частотная спецификация: 2400Количество в упаковке: 1Тип поставки: RetФорм-фактор: SO-DIMMБуферизация: unbufferedКоличество контактов: 260-pinПоказатель скорости: PC3-19200Скорость (тест): 2400МГцНапряжение (тест): 1.2ВЛатентность: CL17PartNumber/Артикул Производителя: SP016GBSFU240B02Модель: SP016GBSFU240B02Количество рангов (Ranks): dual rankОбъем: 16384МБСсылка на сайт поставщика/вендора:silicon-power. com/web/by/product-DDR4SODIMM
от 4184 до 5500 р. -
Оперативная память Silicon Power 16 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 SP016GBSFU266B02
Название Память DDR4 16Gb 2666MHz Silicon Power SP016GBSFU266B02 RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В dual rank. Тип DDR4. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 16 ГБ. Тактовая частота 2666 МГц. Пропускная
от 3912 до 3920 р. -
Оперативная память Silicon Power 16 ГБ DDR4 DIMM CL19 SP016GBLFU266B02
Серия DDR4 UDIMM предлагает самую быструю скорость передачи данных - 3200 MT/с. Кроме того, технология DDR4 обеспечивает большую пропускную способность и более высокую энергоэффективность, по сравнению с DDR3, при этом работая до двух раз быстрее. Простое
от 3810 до 4000 р. -
Оперативная память Silicon Power 16 ГБ DIMM CL18 SP016GXLZU360B2A
Название Оперативная память для компьютера 16Gb (2x8Gb) PC4-28800 3600MHz DDR4 DIMM CL18 Silicon Power XPower AirCool (SP016GXLZU360B2A). Тип DDR4. Форм-фактор DIMM. Количество модулей в комплекте 2 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 3600 МГц.
от 5337 до 6435 р. -
Оперативная память Silicon Power 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 SP004GBSTU160N02
Модель SP004GBSTU160N02 Количество контактов 204-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (тест) 1.5В Задержка (тест) 11-11-11 Латентность CL11 Бренд SILICON POWER PartNumber/Артикул Производителя SP004GBSTU160N02 Вес упаковки (ед) 0.027 Тип памяти DDR3 Объем 4096 Частотная спецификация
5850 1950 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Silicon Power 4 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 SP004GBLFU240X02
Оперативная память SP004GBLFU240N02 от компании Silicon Power
9891 3297 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Silicon Power 4 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 SP004GBLFU266N02
Характеристики:Производитель: Silicon PowerМодель: SP004GBLFU266N02Гарантия производителя: 3 годаКоличество контактов: 288Количество модулей в комплекте (шт): 1Напряжение, В: 1.2Общий объем памяти (ГБ): 4Поддержка ECC: НетПоддержка Reg: НетПропускная способность (МБ/с): 21300Тайминги: CAS Latency (CL): 19;Тип модуля: DIMMЧастота (MHz): DDR4 -
1465 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Silicon Power 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 SP004GBSFU266X02
Оперативная память Silicon Power SP004GBSFU266X02 DDR4 предназначена для работы в составе систем начального и среднего уровня. Устройство может использоваться для замены модуля ОЗУ, вышедшего из строя, а также модернизации ноутбуков. Объем модуля составляет 4 ГБ, что
2416 1964 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Silicon Power 4 ГБ DIMM CL11 SP004GBLTU160N02
Оперативная память Silicon Power [SP004GBLTU160N02] – незаменимая часть компьютерного устройства, обеспечивающая высокую скорость работы с различными приложениями и программами. Компактные размеры, в частности высота 30 мм, характерны для DIMM и дают возможность в несколько раз расширить
1400 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет