Оперативная память из магазина Яндекс.Маркет по возрастанию цены
В разделе «Оперативная память» Вы можете ознакомиться с ценами на товары из множества интернет-магазинов России, узнать о скидках и распродажах. Здесь мы подобрали для Вас товары из интернет-магазина Яндекс.Маркет. Купить выбранный товар Вы можете перейдя на сайт продавца со страниц каталога или из карточки товара. Предложения действительны в течение срока наличия товара на складе.
Выбранным настройкам фильтра соответствует 2616 предложений.
-
Оперативная память AMD 2 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 R532G1601U1SL-UO
Подробные характеристикиОбщие характеристикиТип памятиDDR3LФорм-факторDIMM 240-контактныйТактовая частота1600 МГцПропускная способность12800 МБ/сОбъем1 модуль 2 ГБПоддержка ECCнетБуферизованная (Registered)нетНизкопрофильная (Low Profile)нетТаймингиCAS Latency (CL)11RAS to CAS Delay (tRCD)11Row Precharge Delay (tRP)11Activate to Precharge Delay (tRAS)28ДополнительноКоличество чипов каждого модуля8Напряжение питания1.35 ВРадиаторестьПеред покупкой уточняйте
от 60 до 1065 р. -
Fujitsu Микросхема MB39A126
Микросхема MB39A126, 1 шт. p/n: MB39A126 Цвет: черный Страна: Китай Количество: 1 шт
-
Infineon Память оперативная 1DGH16-04A1F1C-18X
Категория: радиодетали.Память оперативная 1DGH16-04A1F1C-18X
- Qimonda Память оперативная 1DGH16-04A1F1C-18X
-
Rocknparts HYB18H1G321AF-11 Память оперативная Qimonda
Категория: радиоэлементы.HYB18H1G321AF-11
-
Rocknparts Модуль памяти HYB18H1G321AF-11
Память оперативная Qimonda. Партномер HYB18H1G321AF-11
-
ON Semiconductor Микросхема NCP1589DMNTWG
Материнская плата Asus GL552VW REV2.1 i5-6300HQ SR2FP N16P-GT-A2 GTX960M
-
Arduino Модуль Пельтье TEC1-12705
Данные появятся в скором времени
-
Оперативная память Kingston 1 ГБ DDR2 800 МГц DIMM CL6 KVR800D2N6 / 1G
Бренд - KINGSTONМодель - KVR800D2N6/1GФорм-фактор - DIMMТип памяти - DDR2Объем модуля - 1024 МБКоличество контактов - 240-pinПоказатель скорости - PC2-6400Буферизация - unbufferedПоддержкаECC - не поддерживаетсяСкорость - 800МГцНапряжение - 1.8ВЛатентность - CL6
-
W631GG6JB-12 Память оперативная Winbond
Категория: радиодетали.тип память оперативная
от 394 до 395 р. -
Микросхема K4J55323QG-BC14
Микросхема K4J55323QG-BC14, EMMC Samsung, 1 шт. p/n: K4J55323QG-BC14 EMMC Samsung Страна производства: Китай Количество, шт: 1
-
HY5DS573222 Память оперативная Hynix
Категория: радиодеталиТип память оперативная
от 404 до 405 р. -
Hynix Память оперативная HY5DU283222A F-30
Память оперативная Hynix HY5DU283222A F-30
-
Hynix Память оперативная F-30, HY5DU283222A
память оперативная F-30Партномер HY5DU283222A
-
Оперативная память для ноутбука Foxline FL1600D3S11-2G SO-DIMM 2Gb DDR3 1600 MHz FL1600D3S11-2G
Вес - 0,1;
от 410 до 1078 р. -
ON Semiconductor Микросхема NCP6153
NCP6153 NCP6153
-
Модуль памяти Ankowall DIMM DDR2, 1ГБ, 533МГц, PC2-4200
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
511 432 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR2 533 МГц DIMM CL4 m378t6553ez3-cd5
Модуль памяти m378t6553ez3-cd5, DDR2, 512 Мб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
-
Модуль памяти Kingston DIMM DDR2, 1ГБ, 533МГц, PC2-4200
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
547 474 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память QUMO SO-DIMM 2GB DDR3-1600 (QUM3S-2G1600T11L)
Артикул № 1022086 Оперативная память SODIMM Qumo QUM3S-2G1600T11L 2 ГБ выпускается известным производителем. Компания давно занимается изготовлением ОЗУ и внешних носителей, смогла накопить в данном направлении значительный опыт и гарантирует высокое качество. Qumo QUM3S-2G1600T11L 2 ГБ
от 476 до 643 р. -
RFID / NFC модуль PN532 OEM
PN532 - RFID модуль на основе чипа NXP PN532, предназначен для считывания и записи меток 13.56 МГц. Так же модуль может имитировать RFID метку, выступать в качестве NFC устройства. В комплект входит только модуль. Поддерживаемые чипы:
596 477 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Micron Модуль памяти DDR3 ECC 1Gb PC3-10600E
Модуль памяти DDR3 ECC 1Gb PC3-10600E, (1333MHz), CL9, 1Rx8 Micron Technology
790 490 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память DDR3 2Gb 1333 Mhz Nanya NT2GC64B88B0NS-CG PC3-10600S So-Dimm для ноутбука
Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: Nanya NT2GC64B88B0NS-CG, Nanya NT2GC64B88G0NS-CG
573 490 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Kingston 524.288 МБ DDR2 667 МГц DIMM CL5 KVR667D2N5 / 512
Оперативная память Kingston KVR667D2N5/512, DDR2, 512MB, 5300 Обратите внимание на внешний вид на фото, перед покупкой!Мы тестируем весь наш товар перед отправкой!1 год гарантии Характеристики: Тип памяти: DDR2Форм фактор: DIMM Тактовая частота: 667 МГцКоличество контактов: 240Объем:
550 495 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет - Hynix Модуль памяти Qimonda 1GB DD2 PC2-5300R 667MHz ECC Reg (HYS72T128000HR-3S-B)
-
Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M378B5674EB0-YK0
999 500 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти Kingston SODIMM DDR2, 1ГБ, 667МГц, PC2-5300
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
547 519 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Foxline 1 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 FL1333D3U9-1G
Модуль памяти fl1333d3u9-1G, DDR3, 1 Гб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
-
Оперативная память Patriot Memory 512 МБ DDR 400 МГц DIMM PSD512400
Модуль памяти psd512400, DDR, 512 Мб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
от 530 до 3545 р. -
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR2 667 МГц FB-DIMM CL5 M395T2953EZ4-CE66
Характеристики: Тип памяти: DDR2Форм фактор: DIMM Тактовая частота: 667 МГцКоличество контактов: 240Объем: 1 модуль 1 ГбПропускная способность: 5300Мб/сНапряжение питания: 1.8 ВПоддержка ECC: есть Мы тестируем весь наш товар перед отправкой!1 год гарантии
от 540 до 4910 р. -
Infineon Оперативная память - HYB18T5256161AFL28
Категория: радиодетали.Память оперативная HYB18T5256161AFL28
-
Память DDR3 SODIMM 1Gb (б / у)
Память DDR3 SODIMM 1Gb (б/у) Alienware M17x, M17xR2, M15x, M14x, M18x, M17xR4, M18xR2, 14 R1, 17 R1, 13, 17 R2, 15 R1, 13 R2 Inspiron 14z (5423), 15R (7520), 17R (7720), 15z (5523), 17 (3721), 17R
-
ON Semiconductor Микросхема NCP302045MNTW
NCP302045 NCP302045
-
Оперативная память AMD 2 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 R332G1339S1S-U
Серия продукции: Radeon R3 ValueТип памяти: UnbufferedФорм-фактор: SODIMMСтандарт памяти: DDR3Объем одного модуля: 2 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объем: 2 ГБЭффективная частота: 1333 МГцПропускная способность: 10600 Мб/сПоддержка ECC: НетНизкопрофильная: НетКоличество чипов на модуле: 8 штКоличество
708 590 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Qimonda HYS64T128000EU-2.5-C2, DDR2, 1GB, 6400 ОЕМ
Характеристики – Тип DDR2, DIMM, 240-контактнаяОбъем - 1 Гб Спецификации: Тактовая частота - 800 МГцПропускная способность - 6400 Мб/сНапряжение питания - 1.8 ВТайминги - CL 6
-
Оперативная память King DDR3 1х4Гб 1600Mhz
Модули памяти, изготовленные в соответствии с отраслевыми стандартами, обеспечивающие непревзойденную производительность и отличающиеся легендарной надежностью Kingston. Память ValueRAM – разумный выбор! Два низкопрофильных модуля памяти DDR3 4Гб 1600Mhz Суммарный объем памяти 4Гб Тактов: 12 Пропускная способность:
1850 600 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Hynix 1 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM HMT112S6AFR6C-G7
Модуль памяти hmt112s6afr6c-g7, DDR3, 1 Гб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
-
ON Semiconductor Микросхема NCP303150MNTWG
Микросхема - p/n NCP303150MNTWG p/n: NCP303150MNTWG Страна производства: Китай Количество, шт: 1
-
Модуль памяти 2gb ddr2 800 pc2-6400 SoDimm YiMeng 2G для ноутбуков
Модуль памяти 2gb ddr2 800 pc2-6400 SoDimm YiMeng 2G для ноутбуков Оперативная память для компьютера - 2GB DDR2 SoDIMM на чипах памяти от проверенного временем производителя M Tech, поможет оживить Ваш старенький yjen, er. Модули имеют
1200 633 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Hynix 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 HYMP125S64CP8-S6
Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM 200-контактный Тактовая частота 800 МГц Пропускная способность 6400 Мб/с Объем 1 модуль 2 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 6 Напряжение питания 1.8
750 649 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Micron Модуль памяти MT18HTF12872AY-53EB1, DDR2, 1 Гб для срвера ОЕМ
Модуль памяти MT18HTF12872AY-53EB1, DDR2, 1 Гб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
-
Micron Оперативная память Crucial 2 ГБ DDR2 667 МГц SODIMM CL6
Оперативная память DDR2 (2GB), SODIMM - 667MHz Латентность: CL6. Напряжение питания: 1.8В
900 650 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Apacer 78.01GA0.9L5, DDR2, 1GB, 6400 ОЕМ
Оперативная память Apacer 78.01GA0.9L5, DDR2, 1GB, 6400 Мы тестируем весь наш товар перед отправкой!1 год гарантии Характеристики: Тип памяти: DDR2 Форм фактор: DIMM Тактовая частота: 800 МГцКоличество контактов: 240Пропускная способность: 6400 Мб/сОбъем: 1 модуль 1GbНапряжение питания:
-
Оперативная память Kingston 1 ГБ DDR2 800 МГц DIMM CL5 KVR800D2N5 / 1G
Модуль памяти kvr800d2n5/1G, DDR2, 1 Гб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
-
Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 M470T5663QZ3-CF7
ОсновныеСуммарный объем памяти 2 ГБЕмкость одного модуля 2 ГБТип памяти DDR2Тактовая частота, МГц 800Количество модулей в комплекте 1 Заводские данныеПропускная способность, Мб/с 6400CAS Latency (CL) 6 тактовТайминги 6Напряжение питания, В 1.8
от 654 до 3965 р. -
Модуль памяти Ankowall DIMM DDR3, 2ГБ, 1600МГц, PC3-12800
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
754 656 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
OEM Контроллер BD9897FS, SO-32
ОЕМ
-
Оперативная память AMD 4 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL16 R744G2606U1S-UO
Activate to Precharge Delay (tRAS) 35 CAS Latency (CL) 16 масса(кг) 0.14 GTD Number 10005030/210623/3166103 GTIN 04897065181609 Cтрана-производитель тайвань (китай) Партномер R744G2606U1S-UO RAS to CAS Delay (tRCD) 18 Row Precharge Delay (tRP) 18 Вес (грамм) 20
от 664 до 846 р. -
Модуль памяти Ankowall SODIMM DDR3, 2ГБ, 1600МГц, PC3-12800
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
780 676 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти Kingston DIMM DDR3, 2ГБ, 1600МГц, PC3-12800
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
780 676 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
InkTec Чернила для Epson L100, L110, L120, L132, L200, L222, L300, L800, L810, 1500W и др, 1 шт, краска для заправки струйного принтера
Водорастворимые чернила для струйных принтеров и МФУ Epson: Epson L100, L110, L120, L132, L200, L210, L222, L300, L800, L805, L810, L850, L1800, 1500W. Совместимы с картриджами:Epson T6641 Black, Epson T0551 Black Тип: водорастворимыеЧернила предназначены для заправки
Цвет:
1595 690 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти 4ГБ DDR4 SDRAM Kingston (PC25600, 3200МГц) аналог модели KVR32N22S6 / 4
Модуль памяти Kingston 4ГБ DDR4 SDRAM - это высококачественная память, которая обеспечивает высокую производительность и надежность при работе с компьютерами. Он имеет частоту 3200 МГц и поддерживает стандарты PC25600. Преимущества модуля памяти kingston: 1. Высокая производительность:
1490 690 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Kingston 2 ГБ DDR2 SODIMM CL6 KVR800D2S6 / 2G
Заметному приросту работоспособности ноутбучного устройства может поспособствовать замена модулей памяти, имеющих недостаточный объем на более современные, имеющие расширенный показатель объема. Можно установить дополнительную планку памяти, если количество соответствующих слотов на материнской плате позволяет это. Так, можно
1590 690 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Kingston ValueRAM 2 ГБ DDR2 800 МГц DIMM CL6 KVR800D2N6 / 2G
Основные характеристики Вес (грамм) 37 Количество контактов 240 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле - Линейка - Модель KVR800D2N6/2G Напряжение (В) 1.8 Низкопрофильная нет Общий объем памяти (ГБ) 2 Объем одного модуля
от 690 до 3000 р. -
Оперативная память Patriot Memory SL 4 ГБ 1333 МГц DIMM CL9 PSD34G133381
Модель PSD34G133381 Количество контактов 240-pin Показатель скорости PC3-10600 Скорость (SPD) 1333МГц Скорость (тест) 1333МГц Напряжение (SPD) 1.5В Напряжение (тест) 1.5В Задержка (SPD) 9-9-9 Задержка (тест) 9-9-9 Латентность CL9 Бренд PATRIOT PartNumber/Артикул Производителя PSD34G133381 Количество рангов (Ranks)
от 690 до 1244 р. -
Оперативная память Unifosa GU341G0ALEPR6B2C6CE, DDR2, 1GB, 6400 ОЕМ
Оперативная память Unifosa GU341G0ALEPR6B2C6CE, DDR2, 1GB, 6400 Мы тестируем весь наш товар перед отправкой!1 год гарантии Характеристики: Тип памяти: DDR2Тактовая частота: 800 МГцКоличество контактов: 240Объем: 1 модуль 1 ГбНапряжение питания: 1.8 ВПоддержка ECC: нет
-
Neo forza Оперативная память neoforza 2 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 NMUD320C81-1600DA10
Модуль памяти DDR3 2 Гб x 1 шт. PC3-12800 (DDR3 1600 МГц) Напряжение: 1.35 В (LV DDR3)
-
Модуль памяти Ankowall SODIMM DDR2, 1ГБ, 533МГц, PC2-4200
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
930 696 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Crucial 2 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 CT25664BD160B
Стандарт: DDR3Форм-фактор: DIMMВид поставки: RetailОбъем одного модуля: 2 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объем: 2 ГБЭффективная частота: 1600 МГцПропускная способность: 12800 Мб/сПоддержка ECC: НетБуферизованная (регистровая): НетНизкопрофильная: НетКоличество контактов: 240CAS Latency (CL): 11Напряжение питания (В): 1.5
от 699 до 900 р. -
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR 266 МГц DIMM CL2.5 M312L2828DT0-CB0
Модуль памяти 09N4308, M312L2828DT0-CB0 KIT, DDR, 1 Гб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.