-
Оперативная память Samsung M471B5273DH0-CK0 DDR3 1x4Gb 1600MHz
Модуль памяти SODIMM Samsung M471B5273DH0-CK0 стандарта DDR3 напряжение 1.5В, с объемом памяти 4GB и пропускной способностью 12800 Мб/с и частотой 1600 МГц. Перед покупкой убедитесь, что Ваш ноутбук поддерживает тип памяти DDR3 1.5 вольт. Уточняйте информацию
-
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273DH0-CK0
Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: Samsung M471B5173BH0-CK0Samsung M471B5273DH0-CK0Samsung M471B5273CH0-CK0Samsung M471B5173BH0-CK0Samsung M471B5273EB0-CK0Обратите внимание, что данная модель памяти имеет параметр питания 1.5V, например на процессорах Intel 4-ого поколения (Haswell) -
-
Оперативная память Samsung M378B5773CH0-CK0 (M378B5773CH0-CK0), DDR3 1x2Gb, 1600MHz
Рабочая частота - 1600 МГц; Объем памяти - 2 Гб; Тип памяти - DDR3;
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M391B5273DH0-CK0
Модуль памяти DDR3 4Gb M391B5273DH0-YK0 Unbuffered Samsung PC3-12800E 1600 UDIMM 2RX8 1,5V Dual Rank Rank Модули памяти для серверов DELL HP , 4gb, new oem Аналог 662609-571
-
Оперативная память Samsung DDR3 1333 МГц DIMM CL9 M471B5273DH0-CH9
Суммарный объем памяти 8 ГБЕмкость одного модуля 8 ГБТип памяти DDR3Пропускная способность, Мб/с 10600Тактовая частота, МГц 1333Количество модулей в комплекте 1Форм-фактор RAM DIMMРадиатор НетCAS Latency (CL) 11 тактовТайминги 9-9-9-30 Модуль памяти (оперативная память, RAM) для персонального
-
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273DH0-CH9
Оперативная память SODIMM Samsung DDR3 4GB 1333МГц 2Rx8 PC3-10600 - это высококачественный продукт от известного бренда Samsung. Она предназначена для использования в ноутбуках и других портативных устройствах, которые требуют высокой производительности и быстрой обработки данных.
-
Оперативная память Samsung M471B5273DH0-YK0 1x4 ГБ DDR3L (M471B5273DH0-YK0)
Данные появятся в скором времени
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273CH0-CK0
Подробные характеристики Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency
-
Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Samsung DDR3 1R8 1600 SO-DIMM 4Gb 12800 Мб / с (M471B5173BH0-CK0 )
Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb 12800 Мб/с (M471B5173BH0-CK0 ) 1R8 8 чиповая по 4 чипа на каждой стороне 4GB 1Rx8 PC-12800-11-11-B2 Подробные характеристики Характеристики Тип DDR3 Форм-фактор SODIMM Количество модулей
-
Оперативная память для компьютера DIMM DDR3 8ГБ Samsung M378B1G73DB0-CK0 1600MHz (PC3-12800) 240-Pin, 1.5V, Retail
Оперативная память для компьютера DIMM DDR3 8ГБ Samsung M471B5273DH0-CK0, M378B1G73DB0-CK0 1600MHz (PC3-12800) 240-Pin, 1.5V, Retail