-
Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL22 M393A8G40MB2-CVFBY
Серверная оперативная память Samsung (M393A8G40MB2-CVF) емкостью 64 ГБ представляет собой высокопроизводительное решение для использования в серверном оборудовании различного класса, а также настольных рабочих станциях. Данная модель выполнена в форм-факторе DIMM и соответствует типу DDR4 с поддержкой
-
Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A8G40MB2-CTD7Q
Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 64Gb; Объем одного модуля памяти: 64Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-21300 2666MHz; Особенности: ECC Registered;
-
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL22 M393A2K40DB2-CVF
Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 16Gb; Объем одного модуля памяти: 16Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-23400 2933MHz; Особенности: ECC Registered;
-
Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2933 МГц LRDIMM CL21 M386A8K40CM2-CVFBY
объем памяти: 64 ГБ тип: DDR4 LRDIMM 288-pin тактовая частота: 2933 МГц тайминги: 21-21-21-32 напряжение питания: 1.2 В
-
Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4G40BB3-CWE
Оперативная память DDR4 RDIMM с тактовой частотой 3200 MHz, серия модуля PC4-25600, пропускная способность 25600 MB/s Registered. Форм-фактор модуля RDIMM с высотой 31 мм. напряжение 1.2 В. Samsung M393A4G40BB3-CWE
-
Оперативная память HUAWEI 64 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL22 06200329
Оперативная память DDR4 RDIMM с тактовой частотой 2933 MHz, серия модуля PC4-23400, пропускная способность 23400 MB/s Registered. Форм-фактор модуля DIMM с высотой 31 мм. напряжение 1.2 В. Huawei 06200329
-
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4K40EB3-CWECO
D_HEIGHT 1 D_LENGTH 10 D_WIDTH 7 EANUPCCode h0cq010236000052236z Error-correcting code (ECC) Да Буферизованная (Registered) Да Объем, ГБ 32GB Рабочее напряжение, В 1.2 V Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 3200 MHz… adpar_property_list td > span,
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A1K43DB2-CWEGY
Память DDR4 Samsung M393A1K43DB2-CWE 8Gb DIMM ECC Reg PC4-25600 CL22 3200MHz - это надежное и высококачественное устройство, которое обеспечит стабильную и быструю работу вашего компьютера. Благодаря емкости 8Gb и поддержке технологии ECC Reg, данная память
-
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 M393A4G40AB3-CVF
Оперативная память Samsung M393B5170FH0-CH9Технические характеристикиПроизводитель SamsungТип DDR3 ECC RegisteredОбъем памяти, Мб 4096Форм-фактор DIMMТактовая частота, МГц 1333Пропускная способность, Мб/сек 10600Количество контактов 240Радиатор нет
-
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4G43AB3-CWE
Модуль памяти Registered DDR4 32 Гб x 1 шт. PC4-25600 (DDR4 3200 МГц) Напряжение: 1.2 В (DDR4)
Бренды
Товарные группы
Магазины
Акции и скидки
Блог
