-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43CB1-CTD00
Стандарт: DDR4Форм-фактор: SODIMMОбъем одного модуля: 8 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объем: 8 ГБЭффективная частота: 2666 МГцПропускная способность: 21300 Мб/сПоддержка ECC: НетБуферизованная (регистровая): НетНизкопрофильная: НетКоличество контактов: 260CAS Latency (CL): 19Напряжение питания (В): 1.2 ВНормальная операционная
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A5244CB0-CTD
Память SO-DIMM DDR4 4Gb 2666MHz Samsung [M471A5244CB0-CTD] - это 4-гигабайтная оперативная память SODIMM, выпущенная легендарным производителем компьютерной и другой техники Samsung. Память соответствует типу DDR4, который в настоящее время является самым распространенным. Память рассчитана на интенсивную
-
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A2K43CB1-CRC
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR4 - временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ. P/N M471A2K43CB1-CRCCL17 17-17-17-39
-
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A2K43CB2-CTD7Y
M393A2K43CB2-CTD7Q Серверная оперативная память Samsung [M393A2K43CB2-CTD7Q] 16 ГБ
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43DB1-CTDD0
Оперативная память SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CTD] изготовлена с использованием качественных компонентов и материалов, за счет чего отличается высокой надежностью и стабильностью работы вне зависимости от того, насколько сложные задачи выполняются. Модель имеет объем 8 ГБ и отличается
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M391A1K43BB2-CTD
DDR4, объём: 1 модуль на 8Gb, тактовая частота: 2666 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-21300, поддержка ECC: есть, Low Profile: нет, Registered: нет (M391A1K43BB2-CTDQY)
-
Оперативная память Samsung DDR4 2666 МГц SODIMM M471A1G43EB1-CTD
Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR4 16Гб Samsung M471A1G43EB1-CTD 2666MHz (PC-21300) 260pin, 1.2V, Retail
-
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M378A1K43CB2-CTDDY
Модель M378A1K43CB2-CTD Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Латентность CL19 Бренд SAMSUNG PartNumber/Артикул Производителя M378A1K43CB2-CTD Количество рангов (Ranks) dual rank Тип памяти DDR4 Объем 8192 Частотная спецификация 2666 Количество в
-
Оперативная память Samsung DDR4 8Gb 2666 МГц 1x8 ГБ SODMM для ноутбука M471A1K43CB1-CTD
Модуль памяти Samsung DDR4 SO-DIMM 8 ГБ 2666MHz CL19 M471A1K43CB1-CTD
-
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40BB2-CTD7Q
Внимание! Это серверная память! Работает c серверными материнскими платами на процессорах XEON c поддержкой ECC registred DIMM, а также на китайских материнских платах Huanan типа "X58" и "X79" с серверными чипсетами! Гарантированно не подойдёт для обычных
Бренды
Товарные группы
Магазины
Акции и скидки
Блог
