-
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A2K43CB1-CTD
Тип памяти DDR4 Форм-фактор SODIMM 260-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 1 модуль 16 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 19 RAS to CAS
-
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A4K40BB2-CTD7Q
Внимание! Это серверная память! Работает c серверными материнскими платами на процессорах XEON c поддержкой ECC registred DIMM, а также на китайских материнских платах Huanan типа "X58" и "X79" с серверными чипсетами! Гарантированно не подойдёт для обычных
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43CB1-CTD00
Стандарт: DDR4Форм-фактор: SODIMMОбъем одного модуля: 8 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объем: 8 ГБЭффективная частота: 2666 МГцПропускная способность: 21300 Мб/сПоддержка ECC: НетБуферизованная (регистровая): НетНизкопрофильная: НетКоличество контактов: 260CAS Latency (CL): 19Напряжение питания (В): 1.2 ВНормальная операционная
-
Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M393A8G40MB2-CTD7Q
Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 64Gb; Объем одного модуля памяти: 64Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-21300 2666MHz; Особенности: ECC Registered;
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M391A1K43BB2-CTD
DDR4, объём: 1 модуль на 8Gb, тактовая частота: 2666 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-21300, поддержка ECC: есть, Low Profile: нет, Registered: нет (M391A1K43BB2-CTDQY)
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A5244CB0-CTD
Память SO-DIMM DDR4 4Gb 2666MHz Samsung [M471A5244CB0-CTD] - это 4-гигабайтная оперативная память SODIMM, выпущенная легендарным производителем компьютерной и другой техники Samsung. Память соответствует типу DDR4, который в настоящее время является самым распространенным. Память рассчитана на интенсивную
-
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 M378A1K43CB2-CTDDY
Модель M378A1K43CB2-CTD Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Латентность CL19 Бренд SAMSUNG PartNumber/Артикул Производителя M378A1K43CB2-CTD Количество рангов (Ranks) dual rank Тип памяти DDR4 Объем 8192 Частотная спецификация 2666 Количество в
-
Серверные комплектующие Samsung Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2666 МГц M386A8K40CM2-CTD7Y
Серверная оперативная память Samsung M386A8K40CM2-CTD7Y способна обеспечить быструю и стабильную обработку различных приложений при экономичном потреблении энергии. Память стандарта DDR4 обладает емкостью 64 ГБ и работает на тактовой частоте с показателем 2666 МГц. Технология ECC за
-
Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2666 МГц LRDIMM CL19 M386A8K40BM2-CTD6Q
-
Оперативная память Samsung DDR4 8Gb 2666 МГц 1x8 ГБ SODMM для ноутбука M471A1K43CB1-CTD
Модуль памяти Samsung DDR4 SO-DIMM 8 ГБ 2666MHz CL19 M471A1K43CB1-CTD
Бренды
Товарные группы
Магазины
Акции и скидки
Блог
