Оперативная память из магазина Яндекс.Маркет по возрастанию цены - 6-я страница
Выбранным настройкам фильтра соответствует 2616 предложений.
-
Оперативная память AMD 2 ГБ DDR2 DIMM CL6 R322G805U2S-UG
Количество контактов 240-pin Показатель скорости PC2-6400 Скорость (тест) 800МГц Напряжение (тест) 1.8В Задержка (тест) 6-6-6-18 Латентность CL6 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R322G805U2S-UG Вес упаковки (ед) 0.033 Тип памяти DDR2 Объем 2048 Частотная спецификация 800 Количество в
от 1378 до 1598 р. -
Оперативная память Micron 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 MTA16KTF1G64HZ-1G6E1
Для временного хранения данных выбирайте модуль памяти Micron DDR3L с форм-фактором SO-DIMM. Тип поставки говорит о том, что продукт полностью готов к эксплуатации. Объем модуля 8 Гб позволяет использовать его в качестве единственного модуля и в
2000 1380 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память NCP 4 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL11 NCPH9AUDR-16M58
Тип DDR3Форм-фактор DIMMКоличество модулей в комплекте 1Объем одного модуля 4 ГБТактовая частота 1600 МГцПропускная способность PC12800Напряжение питания 1.5 ВКоличество контактов 240Гарантийный срок 1 г.
от 1381 до 2112 р. -
Модуль памяти Kingston SODIMM DDR2, 1ГБ, 533МГц, PC2-4200
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
1387 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Apacer 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 AS04GGB26CQTBGH
Основные характеристики Вес (грамм) 50 Количество контактов 260 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле 8 Модель ES.04G2V. KNH Напряжение (В) 1.2 Низкопрофильная нет Общий объем памяти (ГБ) 4 Объем одного модуля (ГБ)
от 1390 до 1524 р. -
Оперативная память Crucial Value 4 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 CT4G4DFS824A
Оперативная память Crucial CT4G4DFS824A устанавливается в компьютеры, рассчитанные на средний уровень производительности. Память соответствует широко распространенному типу DDR4. Для работы устройства используется тактовая частота 2400 МГц.Пропускная способность модуля памяти достаточна для обеспечения высокой производительности подавляющего большинства
от 1390 до 4260 р. -
Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM CL15 HMA451S6AFR8N-TF
Тип DDR4 Объем одного модуля 4 ГБ Тактовая частота 2133 МГц Форм-фактор SODIMM
2790 1390 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
Оперативная память SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CTD] изготовлена с использованием качественных компонентов и материалов, за счет чего отличается высокой надежностью и стабильностью работы вне зависимости от того, насколько сложные задачи выполняются. Модель имеет объем 8 ГБ и отличается
от 1390 до 2510 р. -
Оперативная память Qumo 4 ГБ 1600 МГц SODIMM CL11 QUM3S-4G1600C11
Основные характеристики Количество контактов 204 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Модель QUM3S-4G1600C11 Низкопрофильная нет Общий объем памяти (ГБ) 4 Объем одного модуля (ГБ) 4 Поддержка Reg Нет Производитель Qumo Пропускная способность (МБ/с) 12800 Тип модуля
от 1395 до 1454 р. -
500202-161 HP Оперативная память HP DIMM,2GB PC3-10600R,128Mx8, RoHS [500202-161]
Оперативная память корпоративного класса для серверов
от 1400 до 5645 р. -
Patriot Memory Оперативная память 2GB 800 Patriot
Самовывоз сегодня. Доставка день в день при заказе до 12-00
1680 1400 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти Ankowall SODIMM DDR3L, 8ГБ, 1333МГц, 1.35В, PC3-10600
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
2153 1400 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти samsung DDR3 8GB 2Rx8 1600МГц 1.5v DIMM для ПК низкопрофильная
Оперативная память Samsung низкопрофильная - это отличный выбор для тех, кто ищет надежную и быструю память для своего компьютера. Samsung предлагает оперативную память объемом 8 ГБ на частоте 1600 МГц с пропускной способностью 12800 МБ/с и
2400 1400 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память 4Gb DDR4 3200MHz Samsung SO-DIMM OEM
4 Гб, DDR4, 25600 Мб/с, 1.2 В
1706 1400 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Память оперативная DDR2 2048mb (2Gb) PC6400 800 Mhz by Samsung 1x2 ГБ DDR2 (SR2GD2PC6400)
Данные появятся в скором времени
1680 1400 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
KLLISRE Оперативная память DDR3 8GB
Оперативная память Kllisre DDR3 1600 МГц для ноутбука Грамотный подбор ОЗУ — непростая задача, поскольку необходимо учесть большое количество факторов: тактовую частоту, тайминги, потенциал разгона, систему охлаждения.
3390 1401 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Crucial 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 CT102464BF160B
Описание DDR3L 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x8 ГБ, 1.35 В В, CL 11 Подробные характеристики Общие характеристики Тип памяти DDR3L Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с Объем 1 модуль
3190 1406 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Azerty SODIMM DDR4 4Gb 2666 MHz
Azerty NB-4G-DDR4-1Rx8-PC4-2666 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с Тактовая частота: 2666 МГц Форм-фактор: SODIMM 260-контактный Объем: 4 Гб Напряжение питания: 1.2 В Гарантийный срок: 12 мес.
1700 1410 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Silicon Power 4 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 SP004GBLFU266N02
Характеристики:Производитель: Silicon PowerМодель: SP004GBLFU266N02Гарантия производителя: 3 годаКоличество контактов: 288Количество модулей в комплекте (шт): 1Напряжение, В: 1.2Общий объем памяти (ГБ): 4Поддержка ECC: НетПоддержка Reg: НетПропускная способность (МБ/с): 21300Тайминги: CAS Latency (CL): 19;Тип модуля: DIMMЧастота (MHz): DDR4 -
1410 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 QUM4U-4G2666C19
Оперативная память QUMO [QUM4U-4G2666C19] 4 ГБ станет отличным дополнением для домашнего или корпоративного компьютера, повседневно выполняющего базовые и офисные задачи, а также вычислительные операции, не требующие высокой производительности — например, простой монтаж коротких видеороликов или запуск
от 1415 до 1459 р. -
Оперативная память Patriot Memory VIPER ELITE II 4 ГБ DDR4 DIMM CL11 PVE244G266C6
Название Оперативная память Patriot Memory VIPER ELITE II 4GB 2666MHz CL16 (PVE244G266C6). Категория Модули памяти. Модули памяти серии Viper Elite II от Patriot являются улучшенным обновлением серии Viper Elite. Память Viper Elite II оснащена красными алюминиевыми
от 1420 до 1477 р. -
Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 QUM3S-4G1600C11L
Основные характеристики Количество контактов 204 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Модель QUM3S-4G1600C11L Напряжение (В) 1.35 Низкопрофильная нет Общий объем памяти (ГБ) 4 Объем одного модуля (ГБ) 4 Поддержка Reg Нет Производитель Qumo Пропускная способность (МБ/с)
от 1430 до 1505 р. -
Оперативная память AMD 8 ГБ SODIMM CL11 R538G1601S2S-UO
Частотная спецификация1600Форм-факторSO-DIMMТип поставкиOEMКоличество в упаковке1Тип памятиDDR3БрендAMDОбъем8192PartNumber/Артикул ПроизводителяR538G1601S2S-UOМодельR538G1601S2S-UOКоличество контактов204-pinПоказатель скоростиPC3-12800Скорость (тест)1600МГцНапряжение (тест)1.5ВЗадержка (тест)11-11-11-28ЛатентностьCL11Буферизацияunbuffered . adpar_property_list td > span, . adpar_property_list td > . adpar_property_list tr td: first-child { text-align: left; padding-right: 10px; padding-left: 0px; } . adpar_property_list
от 1435 до 1731 р. -
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A5244CB0-CTD
Память SO-DIMM DDR4 4Gb 2666MHz Samsung [M471A5244CB0-CTD] - это 4-гигабайтная оперативная память SODIMM, выпущенная легендарным производителем компьютерной и другой техники Samsung. Память соответствует типу DDR4, который в настоящее время является самым распространенным. Память рассчитана на интенсивную
3190 1437 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память AMD 8 ГБ DDR3L DIMM CL11 R538G1601U2SL-U
Оперативная память AMD Radeon R5 Entertainment Series [R538G1601U2SL-U] – быстрое и удобное средство, чтобы ускорить производительность такого родного и привычного для вас компьютера. От вас потребуется только установить AMD Radeon R5 Entertainment Series [R538G1601U2SL-U] в нужный
от 1439 до 1449 р. -
Оперативная память DIGMA DDR3 1600 МГц DIMM CL11 DGMAD31600008D
Модель DGMAD31600008D Количество контактов 240-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (тест) 1.5В Задержка (тест) 11-11-11-28 Латентность CL11 Бренд DIGMA PartNumber/Артикул Производителя DGMAD31600008D Количество рангов (Ranks) dual rank Размер (модули памяти) 8192/1600 Длина упаковки (ед)
от 1439 до 1520 р. -
Оперативная память AMD 4 ГБ DDR4 3000 МГц DIMM CL16 R944G3000U1S-U
Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 4Gb; Объем одного модуля памяти: 4Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-24000 3000MHz; Особенности: NON-ECC; Поддержка
3625 1440 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память NCP 2 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM NCPH8AUDR-13M58
Основные характеристикиПроизводительNCPМодельNCPH8AUDR-13M58Тип оборудованияМодуль памяти DDR3Объем модуля памяти2 ГбКоличество модулей в комплекте1ПроизводительностьЧастота функционированиядо 1333 МГцСтандарт памятиPC3-10600 (DDR3 1333 МГц)Пропускная способность памяти10667 Мб/секКонфигурацияНапряжение питанияВ (DDR3)Внешний видВысота32 ммЛогистикаРазмеры упаковки (измерено в никсе)x 3 x смВес брутто (измерено в никсе)кг
1440 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Apacer 4 ГБ DIMM CL17 EL.04G2T.KFH
Модуль памяти Apacer 4GB Apacer DDR4 2400 DIMM
от 1449 до 2532 р. -
Оперативная память Kingston DDR4 4Gb DIMM (KVR26N19S8 / 4)
БрендKINGSTONБуферизацияunbufferedФорм-факторDIMMТип поставкиRetКоличество в упаковке1СерияVALUERAMPartNumber/Артикул ПроизводителяKVR26N19S8/4Объем4192Частотная спецификация2666Скорость (тест)2666МГцЛатентностьCL19Тип памятиDDR4Количество контактов288-pinПоказатель скоростиPC4-21300МодельKVR26N19S8/4Режим работыдвухканальныйЗадержка (тест)19-19-19Количество рангов (Ranks)single rankНапряжение (тест)1.2В . adpar_property_list td > span, . adpar_property_list td > . adpar_property_list tr td: first-child { text-align: left; padding-right: 10px; padding-left:
1450 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память SAMSUNG DDR3 8gb 1600 1.5v SO-DIMM
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 8Gb 1.5v 2Rx8 PC3-12800S-11-11-F3 DDR3 1.5v SO-DIMM -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2010-2015й год иногда 2016-Intel: i3-2го i3-3го (поколения)-Intel: i5-2го i5-3го (поколения)-Intel: i7-2го i7-3го
2400 1450 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
KLLISRE Оперативная память для ноутбука 8ГБ DDR3L 1333 МГц SO-DIMM PC3L-10600S-CL11 8Gb 1.35V
Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 8; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered):
2500 1455 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память HP 256MB Cache [405836-001]
405836-001 Модуль Кэш-Памяти HP 256Mb Для Smart Array P400 P400i E500
1459 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память AMD 4 ГБ SODIMM CL22 R944G3206S1S-UO
Напряжение питания (В): 1.2 ВСтандарт: DDR4Форм-фактор: SODIMMВид поставки: BulkОбъем одного модуля: 4 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объем: 4 ГБЭффективная частота: 3200 МГцПропускная способность: 25600 Мб/сПоддержка ECC: НетБуферизованная (регистровая): НетНизкопрофильная: НетКоличество контактов: 260CAS Latency (CL):
от 1462 до 1505 р. -
Оперативная память Silicon Power 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11
CAS Latency (CL): 11; Напряжение питания: 1.35 В; Частота: 1600 МГц; Тип: DDR3L; Объем RAM: 8192 GB; Форм-фактор: SO-DIMM; Бренд производителя: Silicon Power
от 1465 до 2371 р. -
Модуль памяти Kingston DIMM DDR2, 1ГБ, 667МГц, PC2-5300
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
1467 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти Kingston SODIMM DDR2, 1ГБ, 667МГц, PC2-5300
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
1467 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти Azerty SODIMM 8Gb DDR3L 1600
Оперативная память Azerty DDR3L 2Rx8 PC3L-1600 NB-8G-1600 SODIMM 8Gb
от 1470 до 1690 р. -
Оперативная память Qumo 4 ГБ DIMM CL9 QUM3U-4G1333K9
Напряжение питания (В): 1.5 ВСтандарт: DDR3Форм-фактор: DIMMВид поставки: OEMОбъем одного модуля: 4 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объем: 4 ГБЭффективная частота: 1333 МГцПропускная способность: 10660 Мб/сПоддержка ECC: НетБуферизованная (регистровая): НетНизкопрофильная: НетКоличество контактов: 240CAS Latency (CL):
от 1470 до 1489 р. -
Оперативная память Patriot Memory SL Premium 4 ГБ DDR4 DIMM CL19 PSP44G266681H1
Модель PSP44G266681H1 Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Задержка (тест) 19-19-19-43 Латентность CL19 Бренд PATRIOT PartNumber/Артикул Производителя PSP44G266681H1 Количество рангов (Ranks) single rank Длина упаковки (ед) 0.16 Ширина упаковки (ед)
от 1477 до 1649 р. -
Neo forza Оперативная память neoforza 8 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 NMUD480E82-2400EA10
Модуль памяти DDR4 8 Гб x 1 шт. PC4-19200 (DDR4 2400 МГц) Напряжение: 1.2 В (DDR4)
1479 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR3 1333 МГц DIMM CL9 M471B5273DH0-CH9
Суммарный объем памяти 8 ГБЕмкость одного модуля 8 ГБТип памяти DDR3Пропускная способность, Мб/с 10600Тактовая частота, МГц 1333Количество модулей в комплекте 1Форм-фактор RAM DIMMРадиатор НетCAS Latency (CL) 11 тактовТайминги 9-9-9-30 Модуль памяти (оперативная память, RAM) для персонального
3690 1479 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DIMM DDR3 8Гб 1600 mhz
Модуль памяти (оперативная память, RAM) для персонального компьютера Samsung DIMM DDR3 8Гб 1 600mhz. Напряжение питания 1.5V
3790 1479 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти Kingston DIMM DDR4, 4ГБ, 2400МГц, PC4-19200
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
1559 1480 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Kingston 2 ГБ DDR3 1066 МГц DIMM CL7 KVR1066D3N7 / 2G
Оперативная память для компьютера DIMM DDR3 2GB Kingston KVR1066D3N7/2G 1066MHz (PC3-8500), 1.5V, 240-Pin, CL7, Retail
1480 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273CH0-CK0
Подробные характеристики Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency
1990 1480 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти DIMM 2x1024 Mb DDR2-667 HP Reg HP HPE-408851-B21 / 2GB
В комплекте два модуля памяти по 1GBдля серверов
1664 1482 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Neo forza Оперативная память neoforza 8 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 NMUD480E82-2666EA10
Модуль памяти DDR4 8 Гб x 1 шт. PC4-21300 (DDR4 2666 МГц) Напряжение: 1.2 В (DDR4)
1489 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
MICRON TECHNOLOGY Оперативная память Micron SO-DIMM DDR3 8Гб 1333 mhz для ноутбука
Модуль памяти (оперативная память, RAM) для ноутбука Micron DDR3 8Гб 1333 mhz. SO-DIMM MT16KTF1G64AZ-1G6E1 Напряжение питания 1.5V
2490 1490 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Kingston ValueRAM 4 ГБ DIMM CL11 KVR16LN11 / 4
Линейка Value RAMСтандарт DDR3Форм-фактор DIMMОбъем одного модуля 4 ГБКоличество модулей в комплекте 1 штСуммарный объем 4 ГБЭффективная частота 1600 МГцПропускная способность 12800 Мб/сПоддержка ECC НетБуферизованная (регистровая) НетНизкопрофильная НетКоличество чипов на модуле 8 штКоличество контактов 240Тайминги CAS
2490 1490 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Netac 4 ГБ DDR3 1600 МГц UDIMM PC3-12800 с радиатором
Оперативная память для компьютера. Производится из высококачественных материалов, что гарантирует стабильную работу и высокий срок службы.
1490 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Hynix Dimm DDR2 Pс2-6400 2 гб
DDR1 SDRAM DIMM pin Характеристики:Стандарт: DDR2 SDRAM PC6400, 800 МГц2048 МбВремя доступа: 12 нсCAS Latency: 6Питание: 1.8 В
1495 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
KLLISRE Оперативная память DDR3L 8GB
Оперативная память Kllisre DDR3L 1600 МГц для ноутбука
2990 1495 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти Ankowall DIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
2301 1496 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти Ankowall DIMM DDR3, 8ГБ, 1866МГц, PC3-14900
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
2301 1496 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти Kingston SODIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, 1.5В, 204PIN, PC3-10600
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
2301 1496 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память для компьютера DIMM DDR3 8ГБ Samsung M378B1G73DB0-CK0 1600MHz (PC3-12800) 240-Pin, 1.5V, Retail
Оперативная память для компьютера DIMM DDR3 8ГБ Samsung M471B5273DH0-CK0, M378B1G73DB0-CK0 1600MHz (PC3-12800) 240-Pin, 1.5V, Retail
2301 1496 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память AMD 4 ГБ DDR4 DIMM CL16 R944G3206U2S-U
Оперативная память AMD Radeon R9 Gamer Series [R944G3206U2S-U] объемом 4 ГБ стандарта DDR4 подходит для использования в ПК различного назначения. Установка данного модуля поможет повысить производительность и отзывчивость системы при выполнении требовательных команд. Он работает на
от 1499 до 1555 р. -
Оперативная память Kimtigo DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 KMTS8GF581600
Название Оперативная память Kimtigo DDR3L 1600 МГц CL11 (KMTS8GF581600). Категория Модули памяти. Описание типDDR3L, объем одного модуля8 ГБ, объем одного модуля (точно)8 ГБ, тактовая частота1600 МГц, форм-факторSODIMM, количество модулей в комплекте1 шт, CL11. Тип DDR3L. Форм-фактор
от 1499 до 1515 р. -
Оперативная память Micron 4 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 MTA4ATF51264HZ-3G2
Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC есть Буферизованная (Registered) да Низкопрофильная (Low Profile) да CAS Latency (CL) 22 RAS to CAS
1999 1499 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет