Оперативная память из магазина Яндекс.Маркет с сортировкой по бренду в обратном алфавитном порядке - 8-я страница
Выбранным настройкам фильтра соответствует 2563 предложения.
-
Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M391A4G43BB1-CWE
Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 22 масса(кг) 0.08 GTD Number 10005030/030523/3114996 GTIN 02772101075659 Cтрана-производитель корея, республика Партномер M391A4G43BB1-CWE RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) -
от 12699 до 14454 р. -
Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4G40BB3-CWE
Оперативная память DDR4 RDIMM с тактовой частотой 3200 MHz, серия модуля PC4-25600, пропускная способность 25600 MB/s Registered. Форм-фактор модуля RDIMM с высотой 31 мм. напряжение 1.2 В. Samsung M393A4G40BB3-CWE
от 13490 до 14690 р. -
Оперативная память Samsung DDR4 3200 МГц LRDIMM CL22 M393A2K43FB3-CWE
Назначение: для сервера Тип поставки: один модуль 1x16Гб Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: RDIMM Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Поддержка ECC: да Буферизованная (RDIMM): да Латентность: CL22 Объем одного модуля:16 Гб Кол-во модулей в упаковке:1 шт.
-
Оперативная память Samsung DDR4 8Gb 2666 МГц 1x8 ГБ SODMM для ноутбука M471A1K43CB1-CTD
Модуль памяти Samsung DDR4 SO-DIMM 8 ГБ 2666MHz CL19 M471A1K43CB1-CTD
6200 2590 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR4 8GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V (M393A1K43DB2-CWE)
Наименование: Оперативная память Samsung DDR4 8GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V (M393A1K43DB2-CWE), 1 year-CWEGYГабариты в упаковке: 0,1 x 3 x 13,5 см (ШхВхД)Вес в упаковке: 0,01 кгГарантия: 1 год Тип оперативной памяти DDR4 Частота функционирования,
5997 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR4 DIMM CL22 M391A4G43AB1-CWE
Количество модулей в комплекте 2Поддержка ECC ДаТип оперативной памяти DDR4Частота функционирования, МГц 3200Пропускная способность, Мб/сек. 25600Объём, Мб 32768Количество контактов 288Форм-фактор оперативной памяти DIMMНапряжение, В 1.2000
15160 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DDR5 32Gb 5600Mhz pc-44800 CL46 1.1V (M323R4GA3DB0-CWM)
Модель BBIM11301B Бренд BEKO PartNumber/Артикул Производителя 7768282912 Длина упаковки (ед) 0.655 Ширина упаковки (ед) 0.655 Высота упаковки (ед) 0.64 Габариты упаковки (ед) ДхШхВ 0.655x0.655x0.64 Вес упаковки (ед) 31.5 Объем упаковки (ед) 0.274576 Тип духовки электрическая Цвет
-
Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц DIMM CL40 M321R4GA0BB0-CQK
Назначение: для сервера Тип поставки: один модуль 1x32Гб Тип памяти: DDR5 Форм-фактор: RDIMM Тактовая частота:4800 МГц Пропускная способность:38400 Мб/с Поддержка ECC: да Буферизованная (RDIMM): нет Латентность: н. д. Объем одного модуля:32 Гб Кол-во модулей в упаковке:1
-
Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц RDIMM CL40 M321R2GA3BB6-CQK
Предупреждение Данный модуль работоспособен только в серверных материнских платах и серверных платформах с поддержкой регистровой памяти. В обычных платах с DDR5 не работает Основные характеристики Производитель Samsung Модель M321R2GA3BB6-CQK Тип оборудования Модуль памяти Registered DDR5 Объем
от 6773 до 9030 р. -
Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц SODIMM CL40 M425R2GA3BB0-CQKOL
Название Память оперативная DDR5 Samsung 16Gb SO-DIMM DDR5 SEC (PC5-38400, 4800, CL40) 1.1V (M425R2GA3BB0-CQK). Тип DDR5. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 16 ГБ. Тактовая частота 4800 МГц. Пропускная способность PC38400.
от 6232 до 6480 р. -
Оперативная память Samsung DDR5 5600 МГц DIMM CL40 M323R1GB4DB0-CWM
8-гигабайтная оперативная память Samsung [M323R1GB4DB0-CWM] предназначена для оснащения производительных офисных и домашних компьютеров универсального назначения. Устройство соответствует типу DDR5. Тактовая частота модуля высока – 5600 МГц. Производительность памяти достаточна для эффективной работы любого типового программного обеспечения.
от 3339 до 3680 р. -
Оперативная память Samsung DDR5 DIMM CL40 M321R4GA3BB6-CQK
Оперативная память DDR5 RDIMM с тактовой частотой 4800 MHz, серия модуля PC5-38400, пропускная способность 38400 MB/s Registered. Форм-фактор модуля DIMM с высотой 31 мм. напряжение 1.1 В. Samsung M321R4GA3BB6-CQK
-
Оперативная память Samsung DIMM DDR2 2Гб 800 mhz для ПК 2 ШТ
Оперативная память 2 штуки Samsung DDR2 2Gb 800 MHz PC2-6400U M378T5663EH3-CF7 для Персонального компьютера.
2790 1700 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung DIMM DDR3 8Гб 1600 mhz
Модуль памяти (оперативная память, RAM) для персонального компьютера Samsung DIMM DDR3 8Гб 1 600mhz. Напряжение питания 1.5V
3790 1479 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung H-ONE 32 ГБ DDR4 DIMM CL22 M378A4G43AB2-CWED0
Модель M378A4G43AB2-CWE Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-25600 Скорость (тест) 3200МГц Напряжение (тест) 1.2В Латентность CL22 Бренд SAMSUNG PartNumber/Артикул Производителя M378A4G43AB2-CWE Количество рангов (Ranks) dual rank Вес упаковки (ед) 0.032 Тип памяти DDR4 Объем 32768 Частотная
от 7577 до 9870 р. -
Оперативная память Samsung M393A4K40EB3-CWECQ 1x32 ГБ (M393A4K40EB3-CWECQ)
Память M393A4K40EB3-CWECQ от Samsung
13872 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung M471B5273DH0-YK0 1x4 ГБ DDR3L (M471B5273DH0-YK0)
Данные появятся в скором времени
1299 990 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung SODIMM DDR2 4Gb (2x2Gb) 800 mhz
Оперативная память для ноутбука Samsung DDR2 2Gb 800 MHz PC2-6400S M470T5663QZ3-CF7 для ноутбуков. Набор 2шт. Для ПК не подходит.
2690 1164 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung SODIMM DDR3 4Гб 1066 mhz
Оперативная память для ноутбука Samsung DDR3 4Gb 1066 MHz PC3-8500S M471B5673EH1-CF8
2950 990 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung SODIMM DDR3 4Гб 1333 mhz
Модуль памяти (оперативная память, RAM) Samsung SODIMM DDR3 4Гб 1333 mhz PC3-10600 Напряжение питания 1.5 Вольта (Может использоваться в ноутбуках где стандарт DDR3 (без L) DDR3L память может использоваться вместо DDR3 (в свою очередь DDR3 вместо
2490 1167 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung SODIMM DDR3 4Гб 1600 mhz
Модуль памяти (оперативная память, RAM) Samsung SODIMM DDR3 4Гб 1600 mhz PC3-12800S Напряжение питания 1.5 Вольта (Может использоваться в ноутбуках где стандарт DDR3 (без L) DDR3L память может использоваться вместо DDR3 (в свою очередь DDR3 вместо
2490 978 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung SODIMM DDR3 8Гб 1600 mhz 2 штуки
Модуль памяти (оперативная память, RAM) Samsung SODIMM DDR3 8Гб 1600 mhz PC3-12800S Напряжение питания 1.5 Вольта (Может использоваться в ноутбуках где стандарт DDR3 (без L) DDR3L память может использоваться вместо DDR3 (в свою очередь DDR3 вместо
4990 2990 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung SODIMM DDR3L 4Гб 1333 mhz
Модуль памяти (оперативная память, RAM) Samsung SODIMM DDR3L 4Гб 1333 mhz Напряжение питания 1.35В PC3L-12800S
2990 978 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR3 8GB PC3L 1.3V 1600Мгц для ноутбука 2шт
Оперативная память 8 ГБ Samsung DDR3L 1600 SO-DIMM 8Gb 1.3v -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2011-2015й год иногда 2016-Intel: i3-2го i3-3го i3-4го(поколения)-Intel: i5-2го i5-3го i5-4го (поколения)-Intel: i7-2го i7-3го i7-4го (поколения)-на всю серию N**** -AMD
4200 3000 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память SODIMM Samsung 4gb DDR3 PC3l 1.3v для ноутбука
Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Samsung DDR3L 1600 SO-DIMM 4Gb 1.3v 2Rx4 PC3L-12800S-11-11-F3 DDR3L 1.3v-1.35v SO-DIMM -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2011-2015й год иногда 2016-Intel: i3-2го i3-3го i3-4го(поколения)-Intel: i5-2го i5-3го i5-4го (поколения)-Intel: i7-2го
2100 1100 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память SODIMM Samsung DDR3 4GB 1066Мгц 2Rx8 PC3-8500S для ноутбука
В комплектеции 2шт планка Прежде чем покупать. убедитесь в том что она вам подходит, или задайте мне вопрос, укажите модель процессора или полную модель ноутбука Оперативная память SODIMM Samsung DDR3 объемом 4 Гб 800 МГц
3499 1300 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память для компьютера DIMM DDR3 8ГБ Samsung M378B1G73DB0-CK0 1600MHz (PC3-12800) 240-Pin, 1.5V, Retail
Оперативная память для компьютера DIMM DDR3 8ГБ Samsung M471B5273DH0-CK0, M378B1G73DB0-CK0 1600MHz (PC3-12800) 240-Pin, 1.5V, Retail
2301 1496 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Оперативная память Samsung M393B5673FH0-CH9Q5 DDRIII 2GB
Зарегистрированный модуль DIMMВключает в себя регистр для улучшения тактовых сигналов, командных и управляющих сигналов.Доступно исправление ошибок за счет добавления 8-битных сигналов четности.Поддержка организации x4/x8/до 2 рангов на конфигурацию DIMM и 3DPC
10000 8000 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Память оперативная DDR2 2048mb (2Gb) PC6400 800 Mhz by Samsung 1x2 ГБ DDR2 (SR2GD2PC6400)
Данные появятся в скором времени
1920 1600 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Память оперативная / Samsung 8GB DDR4 3200MHz PC4-2 M378A1G44CB0-CWE
Основные характеристики Вес (грамм) - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле - Линейка - Модель M378A1G44CB0-CWE Напряжение (В) - Низкопрофильная нет Общий объем памяти (ГБ) 8 Объем одного модуля
от 2199 до 2900 р. -
Серверные комплектующие Samsung Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2133 МГц M386A4G40DMO-CPBOQ
Серверная оперативная память Samsung M386A4G40DMO-CPBOQ способна обеспечить быструю и стабильную обработку различных приложений при экономичном потреблении энергии. Память стандарта DDR4 обладает емкостью 32 ГБ и работает на тактовой частоте с показателем 2133 МГц. Технология ECC за
22000 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Серверные комплектующие Samsung Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 2400 МГц M386A4K40BB0-CRC4Q
Серверная оперативная память Samsung M386A4K40BB0-CRC4Q способна обеспечить быструю и стабильную обработку различных приложений при экономичном потреблении энергии. Память стандарта DDR4 обладает емкостью 32 ГБ и работает на тактовой частоте с показателем 2400 МГц. Технология ECC за
16700 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Серверные комплектующие Samsung Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 2666 МГц M386A8K40CM2-CTD7Y
Серверная оперативная память Samsung M386A8K40CM2-CTD7Y способна обеспечить быструю и стабильную обработку различных приложений при экономичном потреблении энергии. Память стандарта DDR4 обладает емкостью 64 ГБ и работает на тактовой частоте с показателем 2666 МГц. Технология ECC за
28000 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Rocknparts DDR3 SO-DIMM Тестер-посткарта DDR3 SO-DIMM
Категория: программаторы.Тестер-посткарта DDR3 SO-DIMM
7150 5034 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Rocknparts HYB18H1G321AF-11 Память оперативная Qimonda
Категория: радиоэлементы.HYB18H1G321AF-11
-
Rocknparts Модуль памяти HYB18H1G321AF-11
Память оперативная Qimonda. Партномер HYB18H1G321AF-11
-
Rocknparts Тестер-посткарта DDR3 SO-DIMM
7150 5059 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
RocknParts Тестер-посткарта DDR3 SO-DIMM
7150 5084 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Кронштейн для телевизора 13"-42", потолочный подвесной, серия Profi REXANT
Подвесной кронштейн REXANT серии PROFI предназначен для крепления LED/LCD/PLASMA телевизоров 13"- 42" к потолку. Благодаря возможности наклона (-5°/+15°) и поворота (360°) просмотр телевизора будет комфортным из любой точки помещения. При необходимости возможно регулировать расстояние от потолка
от 3569 до 4921 р. -
Модуль памяти Qumo DDR5 DIMM 4800MHz CL40- 16Gb QUM5U-16G4800N40
Артикул № 907074 Память DDR5 QUM5U-16G4800N40 работает на частоте 4800 МГц, при этом является более энергоэффективной по сравнению с предыдущим поколением оперативной памяти DDR4. Стандарт рабочего напряжения для DDR5 - 1.1 В. Это дает на 20%
8200 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти Qumo QUM4S-8G2666C19
Модуль памяти SO-DIMM DDR4 8 Гб x 1 шт. PC4-21300 (DDR4 2666 МГц) Напряжение: 1.2 В (DDR4)
от 2400 до 2453 р. -
Оперативная память Qumo 16 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 QUM4S-16G2666P19
CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.06 GTD Number 10005030/240422/3138043 GTIN 04895230600078 Cтрана-производитель китай Партномер QUM4S-16G2666P19 высота(см) 1 гарантия 2 года длина(см) 15 Дополнительная информация нет Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле 16
от 3670 до 4055 р. -
Оперативная память Qumo 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 QUM4U-16G3200P22
Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 22 масса(кг) 0.06 GTD Number 10005030/150223/3035609 GTIN 01234567832005 Cтрана-производитель тайвань (китай) Партномер QUM4U-16G3200P22 RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) -
-
Оперативная память Qumo 16 ГБ DDR4 SODIMM CL17 32921
ОсновныеНабор1 модульОбщий объем16 ГБТипDDR4 SO-DIMMECCНетЧастота2400 МГцPC-индексPC4-19200CAS Latency17TНапряжение питания1.2 В Технические характеристикиКоличество ранков1Тип микросхем2Gx8Профили XMPНетПрофили AMPНет КонструкцияОхлаждениеНетНизкопрофильный модульНетПодсветка элементов платыНетЦветчерный
от 4300 до 4830 р. -
Оперативная память Qumo 16 ГБ DIMM CL19 QUM4U-16G2666N19
Модель TFK445BPRJ Бренд PRINT-RITE PartNumber/Артикул Производителя PR-TK-1130 Цвет картриджа черный Модель оригинального картриджа TK-1130 Оригинальность неоригинальный Длина упаковки (ед) 0.285 Ширина упаковки (ед) 0.085 Высота упаковки (ед) 0.085 Габариты упаковки (ед) ДхШхВ 0.285x0.085x0.085 Вес упаковки (ед)
от 3769 до 3830 р. -
Оперативная память Qumo 16 ГБ SODIMM CL22 QUM4S-16G3200N22
ХарактеристикиПроизводительQumoМодельQUM4S-16G3200N22Гарантия производителя2 годаКоличество модулей в комплекте (шт)1Напряжение, В1.2НизкопрофильнаяНетОбщий объем памяти (ГБ)16Поддержка ECCНетПоддержка RegНетПодсветкаНетПропускная способность (МБ/с)25600Тип модуляSO-DIMMЦветКомбинированныйЧастота (MHz)DDR4 - 3200Длина(см)0Ширина(см)0Высота(см)0
от 4150 до 4345 р. -
Оперативная память Qumo 2 ГБ DDR2 SODIMM CL6 QUM2S-2G800T6
ОписаниеОперативная память – одна из важнейших деталей Вашего компьютера. Память поможет ускорить обмен данными на компьютере. Память Qumo QUM2S-2G800T6 обеспечит Вам быструю результативную работу за компьютером и комфортный отдых! Оперативная память незаменима для выполнения различных задач,
от 1505 до 1897 р. -
Оперативная память Qumo 32 ГБ DIMM CL22 QUM4U-32G3200N22
Оперативная память QUMO подойдет для установки в различные компьютеры. Ее можно использовать как для рабочих ПК, так и в универсальных сборках для широкого спектра задач. Планка покроет все потребности. Объем памяти модуля составляет 32 ГБ. Этого
от 7051 до 7744 р. -
Оперативная память Qumo 4 ГБ 1600 МГц SODIMM CL11 QUM3S-4G1600C11
Основные характеристики Количество контактов 204 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Модель QUM3S-4G1600C11 Низкопрофильная нет Общий объем памяти (ГБ) 4 Объем одного модуля (ГБ) 4 Поддержка Reg Нет Производитель Qumo Пропускная способность (МБ/с) 12800 Тип модуля
от 1378 до 1417 р. -
Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 QUM3U-4G1333K9R
Оперативная память — одна из неотъемлемых составляющих компьютера. Тактовая частота и пропускная способность характеризуют скоростные характеристики памяти. Чем выше эти показатели, тем лучше, но стоит обратить внимание, что частота памяти должна согласовываться с частотой слота в
2298 1931 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 QUM3S-4G1333C9
ХарактеристикиПроизводительQumoМодельQUM3S-4G1333С9Гарантия производителя2 годаКоличество контактов240Количество модулей в комплекте (шт)1Напряжение, В1.5НизкопрофильнаяНетОбщий объем памяти (ГБ)4Поддержка ECCНетПоддержка RegНетПодсветкаНетПропускная способность (МБ/с)10600Тайминги9-9-9Тип модуляSO-DIMMЦветКомбинированныйЧастота (MHz)DDR3 - 1333Чип512M x 8-bitДлина(см)0Ширина(см)0Высота(см)0
от 1651 до 1771 р. -
Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 QUM3S-4G1333K9R
Характеристики: Производитель QUMOМодель QUM3S-4G1333K9Тип оборудования Модуль памяти SO-DIMM DDR3Объем модуля памяти 4 ГбКоличество модулей в комплекте 1ПроизводительностьЧастота функционирования до 1333 МГцСтандарт памяти PC3-10600 (DDR3 1333 МГц)Пропускная способность памяти 10600 Мб/секЛатентность CL9Напряжение питания 1.5 В (DDR3)
от 1598 до 1790 р. -
Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR3 DIMM CL9 QUM3U-4G1333C9
ОписаниеОперативная память — одна из неотъемлемых составляющих компьютера. Тактовая частота и пропускная способность характеризуют скоростные характеристики памяти. Чем выше эти показатели, тем лучше, но стоит обратить внимание, что частота памяти должна согласовываться с частотой слота в
от 1547 до 1610 р. -
Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 QUM3U-4G1600C11L
ОписаниеОперативная память – одна из важнейших деталей Вашего компьютера. Память поможет ускорить обмен данными на компьютере. Память Qumo QUM3U-4G1600C11L обеспечит Вам быструю результативную работу за компьютером и комфортный отдых! Оперативная память незаменима для выполнения различных задач,
от 1155 до 1261 р. -
Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 QUM3S-4G1600C11L
Основные характеристики Количество контактов 204 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Модель QUM3S-4G1600C11L Напряжение (В) 1.35 Низкопрофильная нет Общий объем памяти (ГБ) 4 Объем одного модуля (ГБ) 4 Поддержка Reg Нет Производитель Qumo Пропускная способность (МБ/с)
от 1380 до 1400 р. -
Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR3L DIMM CL11 QUM3U-4G1600K11L
Activate to Precharge Delay (tRAS) 30 CAS Latency (CL) 11 масса(кг) 0.04 GTD Number 10005030/140523/3124829 GTIN 06909723201883 Cтрана-производитель тайвань (китай) Партномер QUM3U-4G1600K11L RAS to CAS Delay (tRCD) 11 Row Precharge Delay (tRP) 11 Вес (грамм) -
от 1271 до 1398 р. -
Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL16 QUM4S-4G2400C16
4-гигабайтная оперативная память SODIMM Qumo (QUM4S-4G2400C16) – стабильно функционирующее устройство памяти от известного производителя. Модуль памяти, соответствующий типу DDR4, станет отличным выбором для пользователей, которые хотят доукомплектовать памятью ноутбук или произвести его модернизацию. Параметры устройства достаточны
-
Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL16
Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 16 Напряжение питания 1.2
1890 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 QUM4U-4G2666C19
Оперативная память QUMO [QUM4U-4G2666C19] 4 ГБ станет отличным дополнением для домашнего или корпоративного компьютера, повседневно выполняющего базовые и офисные задачи, а также вычислительные операции, не требующие высокой производительности — например, простой монтаж коротких видеороликов или запуск
от 1139 до 1397 р. -
Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 QUM4S-4G2666C19
масса(кг) 0.04 GTD Number 10005030/260123/3021511 GTIN 04895230601242 Cтрана-производитель китай Партномер QUM4S-4G2666C19 Вес (грамм) 12 высота(см) 1 гарантия 2 года длина(см) 7 Количество модулей в комплекте (шт) 1 масса(кг) 0.04 Модель QUMO Напряжение (В) 1.2 Низкопрофильная Нет
от 1482 до 1650 р.