Оперативная память из магазина Яндекс.Маркет в обратном алфавитном порядке - 8-я страница
Выбранным настройкам фильтра соответствует 2573 предложения.
-
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL22 M393A2K40DB2-CVF
Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 16Gb; Объем одного модуля памяти: 16Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-23400 2933MHz; Особенности: ECC Registered;
13400 11350 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A2K43CB1-CTD
Тип памяти DDR4 Форм-фактор SODIMM 260-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 1 модуль 16 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 19 RAS to CAS
30160 23200 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A2K43CB1-CRC
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR4 - временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ. P/N M471A2K43CB1-CRCCL17 17-17-17-39
7266 4723 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц RDIMM CL17 M393A2K40BB1-CRC
Оперативная память Samsung - это надежный и производительный модуль памяти, который обеспечивает высокую скорость работы вашего компьютера. Samsung является одним из лидеров в производстве оперативной памяти и уже более 10 лет занимает лидирующие позиции на рынке.
от 9989 до 18962 р. -
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 M393A2K40CB1-CRC
Оперативная память Samsung DDR4 16GB 19200(2400MHz) REG [M393A2K40CB1-CRC4Q]
22300 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 M378A2K43CB1-CRCD0
Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1 модуль 16 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет
18000 16900 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 M378A2K43BB1-CRC
Внимание! Это Небуферизированная память ! Работает c материнскими платами с поддержкой non-ECC non-REG (Unbuffered), типа SuperMicro MBD-X11SAE.
18880 16900 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2133 МГц DIMM CL15 M393A2G40DB0-CPB
Оперативная память Samsung M393A2G40DB0-CPB, DDR4, 16 Гб, 17000 ОЕМ Мы тестируем весь наш товар перед отправкой! Характеристики Объем памяти комплекта 16 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота
от 10265 до 11600 р. -
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2133 МГц DIMM
Оперативная память 16GB Samsung DDR4-2133MHz ECC Reg CL15, 1.2V, M393A2G40EB1-CPB0QТехнические характеристикиSTORAGE CAPACITY 16GBMEMORY TECHNOLOGY DDR4 SDRAMNUMBER OF MODULES 1 X 16GBBUS SPEED 2133MHZ DDR4-2133/PC4-17000DATA INTEGRITY CHECK ECCSIGNAL PROCESSING REGISTEREDRANK FEATURES DUAL RANK X4CAS LATENCY TIMINGS CL15VOLTAGE
44100 29400 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-YK0
Модули памяти для серверов 16gb, new oemМодуль памяти DDR3 16Gb Samsung M393B2G70DB0-YK0 PC3L-12800 1600MHz ECC Reg 2R 1.35V, BulkСпецификацияMANUFACTURER: SAMSUNG MANUFACTURER PART NUMBER: M393B2G70DB0-YK0 PRODUCT NAME: 16GB DDR3 SDRAM MEMORY MODULE ХатактеристикиSTORAGE CAPACITY: 16GB MEMORY
-
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70DB0-CK0
Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR3L; Объём: 16Gb; Объем одного модуля памяти: 16Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC3-12800 1600MHz; Особенности: ECC, ECC
2700 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70BH0-YK0
Модули памяти для серверов 16gb, new oem16GB Samsung DDR3L 1600 DIMM (M393B2G70BH0-YK0Q8) Server Memory, 1.35V, ECC, Reg, CL11, DRx4, BulkM393B2G70BH0-YK0 SAMSUNG 16GB 2RX4 PC3L-12800R 1.35V MEMORY MODULE (1x16GB)Аналог: M393B2G70QH0-YK0В наличии есть M393B2G70BH0-YK0 идентичные по всем характеристикам
-
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M393B2G70EB0-YK0Q2
Модуль памяти DDR3 16Gb Samsung PC3-12800R 1600Mhz M393B2G70EB0-YK0 внимание!Работает только в серверных материнских платах с поддержкой регистра (Registered DIMM) и коррекцией ошибок (ECC)
от 3150 до 16145 р. -
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 M393B2G70BH0-YH9
Оперативная память Samsung 1x 16GB DDR3-1333 RDIMM PC3L-10600R Dual Rank x4 Modul, M393B2G70BH0-YH9 Технические характеристикиSTORAGE CAPACITY 16GBMEMORY TECHNOLOGY DDR3 SDRAMNUMBER OF MODULES 1 X 16GBBUS SPEED 1333MHZ DDR3-1333/PC3L-10600DATA INTEGRITY CHECK ECCSIGNAL PROCESSING REGISTEREDCAS LATENCY TIMINGS CL9RANK
от 8050 до 17825 р. -
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 M392B2G70BM0-YH9
Оперативная память Samsung – это высококачественный компонент, который обеспечивает быструю и надежную работу вашей компьютерной системы. Объем 16 Гб и частота 1333 Мгц позволяют запускать требовательные приложения и игры без замедления. Эта оперативная память совместима с
-
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9
Тип памяти DDR3L Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Пропускная способность 10600 Мб/с Объем 1 модуль 16 Гб Поддержка ECC есть Количество чипов каждого модуля 36, двусторонняя упаковка Напряжение питания 1.35 В Количество ранков 4
25200 16800 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR3 1066 МГц DIMM CL7 M393B2K70DM0-YF8
Тип памяти DDR3L Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1066 МГц Пропускная способность 8500 Мб/с Объем 1 модуль 16 Гб Поддержка ECC есть Напряжение питания 1.35 В
от 14045 до 16099 р. -
Оперативная память Samsung 128 ГБ DIMM CL21 M393AAG40M3B-CYFC0
ХарактеристикиПроизводительSamsungМодельM393AAG40M3B-CYFВес (грамм)30Высота (мм)32Габариты (мм)133.35 х 32Гарантия производителя3 годаКоличество контактов288Количество модулей в комплекте (шт)1Напряжение, В1.2НизкопрофильнаяНетОбщий объем памяти (ГБ)128Поддержка ECCЕстьПоддержка RegЕстьПодсветкаНетПропускная способность (МБ/с)25600Таймингин/дТип модуляRDIMMЦветЗеленыйЧастота (MHz)DDR4 - 2933Чип8Gb x 4-bitДлина(см)13Ширина(см)0.5Высота(см)3Масса(кг)0.03
78000 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 128 ГБ DDR4 RDIMM CL22
Модель: M393AAG40M32-CAEТип оборудования: Оперативная памятьЛинейка: M393Частота (MHz): DDR4 - 3200Тип модуля: RDIMMОбъем одного модуля (ГБ): 128Количество модулей в комплекте (шт): 1Общий объем памяти (ГБ): 128Пропускная способность (МБ/с): 25600Поддержка ECC: ЕстьПоддержка Reg: ЕстьНизкопрофильная: нетКоличество контактов: 288CAS Latency
от 83780 до 88942 р. -
Оперативная память Samsung 128 ГБ DDR4 2933 МГц RDIMM CL21 M393AAG40M3B-CYF
Модуль памяти 3DS RDIMM DDR4, Registered DDR4 128 Гб x 1 шт. PC4-23400 (DDR4 2933 МГц) Напряжение: 1.2 В (DDR4)
82000 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 128 ГБ DDR4 2933 МГц LRDIMM CL21 M386AAG40MMB-CVF
Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 128Gb; Объем одного модуля памяти: 128Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-23400 2933MHz; Особенности: ECC Registered;
83988 75589 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 M378B2873FH0-CH93650 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL911840 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR2 800 МГц DIMM M378T2863DZS-CF72075 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR2 800 МГц DIMM CL6 M391T2953EZ3-CF710370 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR2 800 МГц DIMM CL6 M378T2953GZ3-CF72075 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR2 667 МГц FB-DIMM M395T2863DZ4-CE668480 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR2 667 МГц FB-DIMM CL5 M395T2953EZ4-CE66
Характеристики: Тип памяти: DDR2Форм фактор: DIMM Тактовая частота: 667 МГцКоличество контактов: 240Объем: 1 модуль 1 ГбПропускная способность: 5300Мб/сНапряжение питания: 1.8 ВПоддержка ECC: есть Мы тестируем весь наш товар перед отправкой!1 год гарантии
от 540 до 4910 р. -
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR2 533 МГц DIMM M378T2953EZ3-CD52705 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR2 533 МГц DIMM CL4 M393T2950BZ3-CD514045 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR 400 МГц DIMM CL3 M368L2923GLN-CCC3545 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR 400 МГц DIMM CL3 M368L2923BTM-CCC7745 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR 400 МГц DIMM CL3 M312L2920DZ3-CCC3545 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR 333 МГц SODIMM CL2.5 M470L2923DV0-CB3
Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: Samsung M470L2923DV0-CB3Samsung M368L2923DUN-CB3
1599 1135 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR 333 МГц DIMM CL2.5 M312L2920CZ3-CB316880 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR 333 МГц DIMM CL2.5 M312L2820EG0-CB385235 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR 266 МГц DIMM CL2.5 M312L2828DT0-CB0
Модуль памяти 09N4308, M312L2828DT0-CB0 KIT, DDR, 1 Гб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
-
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR 266 МГц DIMM CL2 M312L2828DT0-CA225700 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR 200 МГц DIMM CL2 M383L2828DT1-CA033995 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память RAM FBD-667 IBM-Elpida 512Mb PC2-5300 [38L5901]
Оперативная память корпоративного класса для серверов
от 1861 до 1865 р. -
Оперативная память RAM DDRIII-1333 IBM 8Gb 2Rx8 Unbuffered ECC LP [43X5058]
Оперативная память корпоративного класса для серверов
11630 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память RAM DDRIII-1333 IBM 4Gb REG ECC Dual Rank [46C0564]11630 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память RAM DDR333 IBM-Elpida 2048Mb REG ECC PC2700 [73P2035]
Оперативная память корпоративного класса для серверов
4312 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память RAM DDR333 IBM-Elpida 2048Mb REG ECC PC2700 [73P2030]
Оперативная память корпоративного класса для серверов
4312 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память RAM DDR333 IBM 1x1Gb REG ECC PC2700 [38L4062]
Оперативная память корпоративного класса для серверов
от 2302 до 20660 р. -
Оперативная память RAM DDR333 IBM 1x1Gb REG ECC PC2700 [09N4308]
Оперативная память корпоративного класса для серверов
1822 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память QUMO SO-DIMM 2GB DDR3-1600 (QUM3S-2G1600T11L)
Назначение: Для ноутбукаПодсветка: НетТип памяти: DDR3Форм-фактор: SO-DIMMКоличество модулей в комплекте: 1CAS Latency (CL): 11Частота (МГц): 1600Пропускная способность (Мегабитс): 12800Объем одного модуля (Гб): 2Общий объем (Гб): 2
-
Оперативная память Qumo DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 QUM4S-8G2666C19
CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.03 GTD Number 10005030/240422/3138043 GTIN 04895230604359 Cтрана-производитель китай Партномер QUM4S-8G2666C19 высота(см) 5 гарантия 2 года длина(см) 9 Дополнительная информация нет Количество модулей в комплекте (шт) 1 Линейка - масса(кг) 0.03 Модель
от 2353 до 2434 р. -
Оперативная память Qumo 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 32552
Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 22 масса(кг) 0.06 GTD Number 10005030/230822/3226339 GTIN 04897062320032 Cтрана-производитель китай Партномер QUM4U-8G3200P22 RAS to CAS Delay (tRCD) 22 Row Precharge Delay (tRP) 22 Вес (грамм) - Высота
от 2299 до 2600 р. -
Оперативная память Qumo 8 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 QUM4U-8G2666P19
Основные характеристики Вес (грамм) - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле - Линейка - Модель QUM4U-8G2666P19 Напряжение (В) 1.2 В (DDR4) Низкопрофильная Нет Общий объем памяти (ГБ) 8 Объем
от 2100 до 2353 р. -
Оперативная память Qumo 8 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM CL15 QUM4S-8G2133C15
Оперативная память SODIMM Qumo [QUM4S-8G2133C15] 8 ГБ – хороший модуль для применения в ноутбуках. Планка изготовлена с использованием проверенных решений, она выделяется высокой надежностью и сбалансированными характеристиками.Комплект Qumo [QUM4S-8G2133C15] 8 ГБ включает один модуль. Объем доступной
4229 3299 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Qumo 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 QUM3S-8G1600C11L
Оперативная память предназначена для использования в мобильных системах с небольшими габаритами. Модуль относится к стандарту DDR3, имеет рабочую частоту 1600 ГГц. В комплекте поставляется одна плашка для установки в соответствующий слот на материнской плате. Объем составляет
от 1686 до 1695 р. -
Оперативная память Qumo 8 ГБ DDR3 SODIMM CL9 QUM3S-8G1333C9R
Оперативная память Qumo QUM3S-8G1333C9R предназначена для установки в материнские платы ноутбуков с разъемом DDR3 SO-DIMM. Увеличение объема оперативной памяти обеспечит повышение быстродействия ноутбука. Принципы тщательного производственного и постпроизводственного контроля гарантируют стабильную работу памяти на заявленных частотах
от 1724 до 1843 р. -
Оперативная память Qumo 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 QUM3U-8G1600C11L
Оперативная память Qumo (QUM3U-8G1600С11L) станет отличным выбором для Вас, если Вам требуется энергоэффективный модуль памяти. Благодаря напряжению питания 1.35 В, Qumo (QUM3U-8G1600С11L) имеет пониженное энергопотребление. Объем этого модуля памяти – 8 ГБ. Qumo (QUM3U-8G1600С11L) имеет тайминги
от 1645 до 1941 р. -
Оперативная память Qumo 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 QUM3U-8G1600C11
Оперативная память Qumo [QUM3U-8G1600C11] 8 ГБ относится к типу DDR3 и форм-фактору DIMM, являясь модулем ОЗУ для установки в системный блок ПК. Ее можно подключить к компьютерной системе, материнская плата которой поддерживает такой тип памяти. Этот
от 1828 до 1858 р. -
Оперативная память Qumo 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11
Qumo DDR3 DIMM 1600MHz PC3-12800 CL11 - 8Gb QUM3U-8G1600C11L
2168 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Qumo 4 ГБ DIMM CL9 QUM3U-4G1333K9
Напряжение питания (В): 1.5 ВСтандарт: DDR3Форм-фактор: DIMMВид поставки: OEMОбъем одного модуля: 4 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объем: 4 ГБЭффективная частота: 1333 МГцПропускная способность: 10660 Мб/сПоддержка ECC: НетБуферизованная (регистровая): НетНизкопрофильная: НетКоличество контактов: 240CAS Latency (CL):
от 1290 до 1656 р. -
Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 QUM4S-4G2666C19
масса(кг) 0.04 GTD Number 10005030/260123/3021511 GTIN 04895230601242 Cтрана-производитель китай Партномер QUM4S-4G2666C19 Вес (грамм) 12 высота(см) 1 гарантия 2 года длина(см) 7 Количество модулей в комплекте (шт) 1 масса(кг) 0.04 Модель QUMO Напряжение (В) 1.2 Низкопрофильная Нет
от 1590 до 1668 р. -
Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 QUM4U-4G2666C19
Оперативная память QUMO [QUM4U-4G2666C19] 4 ГБ станет отличным дополнением для домашнего или корпоративного компьютера, повседневно выполняющего базовые и офисные задачи, а также вычислительные операции, не требующие высокой производительности — например, простой монтаж коротких видеороликов или запуск
от 1135 до 1404 р. -
Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL16
Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 16 Напряжение питания 1.2
1890 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет