-
KLLISRE Оперативная память для ноутбука 8ГБ DDR3L 1333 МГц SO-DIMM PC3L-10600S-CL11 8Gb 1.35V
Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 8; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered):
-
KLLISRE Оперативная память для ноутбука 8ГБ DDR3 1600 МГц SO-DIMM PC3-12800S-CL11 8Gb 1.5V
Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 8; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered):
-
KLLISRE Оперативная память для ноутбука 4ГБ DDR3L 1333 МГц SO-DIMM PC3L-10600S-CL11 4Gb 1.35V
Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 4; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered):
-
Оперативная память SK Hynix DDR3 4GB 1333МГц PC3-10600S 1.5v SODIMM для ноутбука 2шт
Оперативная память SK Hynix - это надежный и производительный компонент, который может значительно повысить скорость работы вашего ноутбука. Она обеспечивает высокую скорость передачи данных, что позволяет быстро загружать программы и файлы, а также ускоряет работу приложений
-
KLLISRE Оперативная память для ноутбука 8ГБ DDR3L 1600 МГц SO-DIMM PC3L-12800S-CL11 8Gb 1.35V
Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 8; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered):
-
Оперативная память 8 ГБ DDR3 1600 МГц Kllisre 8Gb PC3-12800-CL11
Оперативная память типа DDR3 Kllisre 1600 МГц 8Gb PC3-12800-CL11 обладает высокой пропускной способностью, но не имеет поддержки ECC и буфера, что способствует увеличенной частоте приема данных при снижении энергопотребления и тепловыделения. Напряжение питания при работе составляет
-
Оперативная память с радиаторами 8 ГБ DDR3 1600 МГц Kllisre 8Gb PC3-12800-CL11
Оперативная память DDR3 8Гб 1600Мгц с радиаторами. ==================================================Оперативная память типа DDR3 Kllisre 1600 МГц 8Gb PC3-12800-CL11 обладает высокой пропускной способностью, но не имеет поддержки ECC и буфера, что способствует увеличенной частоте приема данных при снижении энергопотребления
-
Оперативная память для ноутбука Hynix 4Gb PC3-10600S DDR3 1333 SO-DIMM
Hynix 4 Гб PC3-10600S DDR3 1333 SO-DIMM - это оперативная память для ноутбука или компьютера, объемом 4 Гб, тактовой частотой 1333 МГц и соответствующей стандарту DDR3. Она имеет форм-фактор SO-DIMM, что означает, что она более компактна
-
Модуль памяти Kingston DIMM DDR3, 8ГБ, 1333МГц, PC3-10600
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
-
Оперативная память ADATA DDR3 4GB 1333Мгц 2Rx8 PC3-10600 1.5v SODIMM для ноутбука 2шт
Оперативная память Adata DDR3 4gb 1.5v 1333 SO-DIMM для ноутбука 2шт -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2010-2013й -Intel: i3-1го i3-2го i3-3го (поколения)-Intel: i5-1го i5-2го i5-3го (поколения)-Intel: i7-1го i7-2го i7-3го (поколения) -AMD A8-3500M, A8-4500M, A10-4500M,