-
Оперативная память для компьютера DIMM DDR3 8ГБ Samsung M378B1G73DB0-CK0 1600MHz (PC3-12800) 240-Pin, 1.5V, Retail
Оперативная память для компьютера DIMM DDR3 8ГБ Samsung M471B5273DH0-CK0, M378B1G73DB0-CK0 1600MHz (PC3-12800) 240-Pin, 1.5V, Retail
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B1G73QH0-CK000
Оперативная память Samsung 8GB DDR3-1600, M378B1G73QH0-CK0Технические характеристикиОбъем памяти комплекта 8 ГБКол-во планок в комплекте 1 штФорм-фактор памяти DIMMТип памяти DDR3Тактовая частота 1600 МГцПропускная способность 12800 МБ/секСхема таймингов памяти 11-11-11Рабочее напряжение 1.5 ВТип охлаждения без охлажденияВысота планки
-
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73DB0-YK0
DDR3L 8GB 1600MHz 1.35V CL11 SODIMM - это высококачественная оперативная память, разработанная известным производителем электроники. Она предназначена для использования в ноутбуках и других устройствах, использующих компактные форм-факторы и низковольтные модули SODIMM. Модуль памяти DDR3L оснащен 8
-
Оперативная память Samsung DDR3 1333 МГц DIMM CL11 M378B1G73DH0-CK0
Оперативная память для компьютера DIMM DDR3 8ГБ Samsung M378B1G73DH0-CK0 1333MHz (PC3-10600) 240-Pin, 1.5V, Retail
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M391B1G73BH0-CK0
-
Samsung Оперативная память 8GB DDR3 1600MHz DDR3 PC3-12800 1x8 ГБ (M471B1G73BHO-CKO)
Данные появятся в скором времени
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-CKO
Описание Оперативная память для ноутбука 4Gb PC3-10600 DDR3 1333Mhz M471B5273CH0-CKO. Производится из высококачественных материалов, что гарантирует стабильную работу и высокий срок службы. Подробные характеристики Характеристики Тип DDR3 Форм-фактор SODIMM Количество модулей в комплекте 1 Объем одного
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273CH0-CK0
Подробные характеристики Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273TB0-CK000
Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Количество чипов каждого модуля
-
Оперативная память SAMSUNG DDR3 8gb 1600 1.5v SO-DIMM
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 8Gb 1.5v 2Rx8 PC3-12800S-11-11-F3 DDR3 1.5v SO-DIMM -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2010-2015й год иногда 2016-Intel: i3-2го i3-3го (поколения)-Intel: i5-2го i5-3го (поколения)-Intel: i7-2го i7-3го