-
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-YK0
тип: DDR3L, объем одного модуля: 4 ГБ, объем одного модуля (точно): 4 ГБ, тактовая частота: 1600 МГц, форм-фактор: SODIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт, CL: 11, особенности: Unregistered Подробные характеристики Производитель Samsung Тип DDR3L Объем
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-CF8
DDR3 4Gb 1066 Mhz So-Dimm 1Rx8 Samsung M471B5273CH0-CF84GB 1Rx8 PC3-8500S-07-10-F2Производитель : SamsungМодель : M471B5273CH0-CF8Назначение : для ноутбуков, нетбуковФорм-фактор : So-DimmОбъём : 4 GbТип : DDR3Пропускная способность : PC8500Тактовая частота : 1066 MhzРанг : 1Rx8, одноранговаяТайминги :
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9
Общие характеристики Тип памяти: DDR3 Форм-фактор: SODIMM 204-контактный Тактовая частота: 1600 МГц Пропускная способность: 12800 МБ/с Объем: 1 модуль 4 ГБ Поддержка ecc: нет Поддержка xmp: нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги
-
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273DH0-CK0
Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: Samsung M471B5173BH0-CK0Samsung M471B5273DH0-CK0Samsung M471B5273CH0-CK0Samsung M471B5173BH0-CK0Samsung M471B5273EB0-CK0Обратите внимание, что данная модель памяти имеет параметр питания 1.5V, например на процессорах Intel 4-ого поколения (Haswell) -
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273CH0-CK0
Подробные характеристики Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency
-
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273DH0-CH9
Оперативная память SODIMM Samsung DDR3 4GB 1333МГц 2Rx8 PC3-10600 - это высококачественный продукт от известного бренда Samsung. Она предназначена для использования в ноутбуках и других портативных устройствах, которые требуют высокой производительности и быстрой обработки данных.
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M391B5273DH0-CK0
Модуль памяти DDR3 4Gb M391B5273DH0-YK0 Unbuffered Samsung PC3-12800E 1600 UDIMM 2RX8 1,5V Dual Rank Rank Модули памяти для серверов DELL HP , 4gb, new oem Аналог 662609-571
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273TB0-CK000
Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Количество чипов каждого модуля
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5173EB0-YK0
Оперативная память SO-DIMM, DDR3L, 1600 МГц, 12800 МБ/с, 4 Гб, Samsung
-
Оперативная память Samsung DDR3 1333 МГц DIMM CL9 M471B5273DH0-CH9
Суммарный объем памяти 8 ГБЕмкость одного модуля 8 ГБТип памяти DDR3Пропускная способность, Мб/с 10600Тактовая частота, МГц 1333Количество модулей в комплекте 1Форм-фактор RAM DIMMРадиатор НетCAS Latency (CL) 11 тактовТайминги 9-9-9-30 Модуль памяти (оперативная память, RAM) для персонального