Внутренний SSD-накопитель 1000Gb Samsung 990 Evo (MZ-V9E1T0BW) M.2 2280 PCI-E 4.0 x4 (5.0 x2) / Описание

• КорпусM.2 2280
• Габариты80 × 22 × 2,38 мм
• Вес72 г.
• Порты и разъемыPCIe NVMe Gen 4.0 × 4 / PCIe NVMe Gen 5.0 × 2
• Тип флэш-памятиV-NAND TLC
• M.2 (ключ)M
• Скорость чтения до (Мб/сек)5000
• Скорость записи до (Мб/сек)4200
• Скорость случайного чтения (блоки по 4Кб)20000 IOPS
• Скорость случайного чтения (блоки по 4Кб QD32)680000
• Скорость случайной записи (блоки по 4Кб)90000 IOPS
• Скорость случайной записи (блоки по 4Кб QD32)800000
• Ресурс TBW (ТБ)600 Тб
• Поддержка NVMe+
• Потребление (рабочий режим)4.9 W
• Время работы на отказ (часов)1500000 ч
• Объем (ГБ)1000 Гб

Твердотельный накопитель Samsung 990 EVO базируется на собственном контроллере Samsung, а особенностью является поддержка интерфейсов PCIe 4.0 x4 и PCI 5.0 x2, что позволяет достигать максимальной производительности на большинстве устройств. Пропускная способность 990 EVO достигает 5000/4200 МБ/с для последовательного чтения/записи и 680 000/800 000 операций ввода-вывода в секунду при случайном чтении/записи.В модели используются чипы памяти Samsung V-NAND TLC, работающие быстрее и стабильнее благодаря оптимизированному блоку IO.