Оперативная память SILICON-POWER SP008GBSFU266B02 / Описание

• Объем памяти8
• Память оперативная+
• Тип памятиDDR4
• Частота шины памяти2666
• КорпусSO-DIMM
• Объем одного модуля8
• Пропускная способность21300
• Гарантия предоставляетсяПроизводителем
• Количество модулей в комплекте1

Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; Напряжение питания: 1.2В; Пропускная способность: 21300; Форм-фактор: SODIMM; Общий объем памяти: 8ГБ; Количество модулей в комплекте: 1; Объем памяти одного модуля: 8ГБ; Количество контактов: 260; RAS to CAS Delay (tRCD): 19; Row Precharge Delay (tRP): 19;