Оперативная память Samsung M378A1G43EB1-CPB / Описание

Где купить 1Описание
  • Рабочая частота2133 МГц
  • Объем памяти8 Гб
  • Тип памятиDDR4
  • КорпусDIMM
  • CAS Latency (CL)15
  • Объем одного модуля, гигабайт8 Гб
  • Напряжение питания1.2В
  • Ранг памятиDual
  • Количество чипов16
  • Расположение чиповДвустороннее
  • Row Precharge Delay (tRP)15
  • Activate to Precharge Delay (tRAS)36
  • Количество контактов288
  • Количество модулей в комплекте1
  • Пропускная способность, Мегабит/с17000
  • RAS to CAS Delay (tRCD)15
  • МодельM378A1G43EB1-CPB
  • НазначениеДля компьютера

Популярные марки модулей памяти в этом разделе

Похожие на этот модуль памяти товары

Оставьте своё мнение о товаре Оперативная память Samsung M378A1G43EB1-CPB (осталось 5000 символов)
Ваше имя:
Код с картинки:Контрольные символы

Отправляя отзыв, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности сайта