объем памяти: 64 ГБ тип: DDR4 LRDIMM 288-pin тактовая частота: 2933 МГц тайминги: 21-21-21-32 напряжение питания: 1.2 В
Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 128Gb; Объем одного модуля памяти: 128Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-23400 2933MHz; Особенности: ECC Registered;
ХарактеристикиПроизводительSamsungМодельM386A8K40DM2-CVFТип оборудованияОперативная памятьЧастота (MHz)DDR4 - 2933Тип модуляLRDIMMОбъем одного модуля (ГБ)64Количество модулей в комплекте (шт)1Общий объем памяти (ГБ)64Пропускная способность (МБ/с)23400Поддержка ECCЕстьПоддержка RegЕстьНизкопрофильнаянетКоличество контактов288CAS Latency (CL)19РадиаторНетПоддержка водяного охлаждениянетЦвет комбинированная расцветкаПодсветканетНапряжение (В)1.2Нормальная операционная температура (Tcase)75Расширенная операционная температура (Tcase)85Дополнительная информациянетширина(см)4длина(см)15высота(см)1масса(кг)0.06гарантия1
Серверная оперативная память Samsung M386A8K40CM2-CTD7Y способна обеспечить быструю и стабильную обработку различных приложений при экономичном потреблении энергии. Память стандарта DDR4 обладает емкостью 64 ГБ и работает на тактовой частоте с показателем 2666 МГц. Технология ECC за
Серверная оперативная память Samsung (M393A8G40MB2-CVF) емкостью 64 ГБ представляет собой высокопроизводительное решение для использования в серверном оборудовании различного класса, а также настольных рабочих станциях. Данная модель выполнена в форм-факторе DIMM и соответствует типу DDR4 с поддержкой
Оперативная память Samsung M393B5170FH0-CH9Технические характеристикиПроизводитель SamsungТип DDR3 ECC RegisteredОбъем памяти, Мб 4096Форм-фактор DIMMТактовая частота, МГц 1333Пропускная способность, Мб/сек 10600Количество контактов 240Радиатор нет
Модуль памяти 3DS RDIMM DDR4, Registered DDR4 128 Гб x 1 шт. PC4-23400 (DDR4 2933 МГц) Напряжение: 1.2 В (DDR4)
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
Модуль памяти LRDIMM DDR4 64 Гб x 1 шт. PC4-23400 (DDR4 2933 МГц) Напряжение: 1.2 В (DDR4)
Модуль памяти DDR4 64GB Hynix original HMAA8GL7CPR4N-WMT4
Бренды
Товарные группы
Магазины
Акции и скидки
Блог