-
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-YK0
тип: DDR3L, объем одного модуля: 4 ГБ, объем одного модуля (точно): 4 ГБ, тактовая частота: 1600 МГц, форм-фактор: SODIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт, CL: 11, особенности: Unregistered Подробные характеристики Производитель Samsung Тип DDR3L Объем
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9
Общие характеристики Тип памяти: DDR3 Форм-фактор: SODIMM 204-контактный Тактовая частота: 1600 МГц Пропускная способность: 12800 МБ/с Объем: 1 модуль 4 ГБ Поддержка ecc: нет Поддержка xmp: нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73EB0-YK0
Desc: DDR3L SODIMM 204-контактный 1600 МГц 12800 Мб/с 1 модуль 8 Гб нет нет нет 11 11 11 16, двусторонняя упаковка 1.35 В
-
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273DH0-CK0
Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: Samsung M471B5173BH0-CK0Samsung M471B5273DH0-CK0Samsung M471B5273CH0-CK0Samsung M471B5173BH0-CK0Samsung M471B5273EB0-CK0Обратите внимание, что данная модель памяти имеет параметр питания 1.5V, например на процессорах Intel 4-ого поколения (Haswell) -
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1066 МГц SODIMM CL7 M471B5273BH1-CF8
в комплектеции 1шт планка Прежде чем покупать. убедитесь в том что она вам подходит, или задайте мне вопрос, укажите модель процессора или полную модель ноутбука Оперативная память SODIMM Samsung DDR3 объемом 4 Гб 800 МГц 2Rx8
-
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B1G73DB0-YK0
DDR3L 8GB 1600MHz 1.35V CL11 SODIMM - это высококачественная оперативная память, разработанная известным производителем электроники. Она предназначена для использования в ноутбуках и других устройствах, использующих компактные форм-факторы и низковольтные модули SODIMM. Модуль памяти DDR3L оснащен 8
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M471B5173CB0-YK0
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M471B5173DB0-YK0D0
Название товара: В Модуль оперативной памяти Модель: В M471B5173DB0-YK000 Назначение: В Для ноутбуков Количество модулей памяти в комплекте, шт: В 1 Тип модуля памяти: В DDR3 Объём: В 4 Гб
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273CH0-CK0
Подробные характеристики Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency
-
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273DH0-CH9
Оперативная память SODIMM Samsung DDR3 4GB 1333МГц 2Rx8 PC3-10600 - это высококачественный продукт от известного бренда Samsung. Она предназначена для использования в ноутбуках и других портативных устройствах, которые требуют высокой производительности и быстрой обработки данных.
Бренды
Товарные группы
Магазины
Акции и скидки
Блог
