Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273TB0-CK000 / Описание

Где купить 1Описание

Общие характеристики

Тип памяти
DDR3

Форм-фактор
DIMM 240-контактный

Тактовая частота
1600 МГц

Пропускная способность
12800 Мб/с

Объем
1 модуль 4 Гб

Поддержка ECC
нет

Буферизованная (Registered)
нет

Низкопрофильная (Low Profile)
нет

Дополнительно

Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка

Напряжение питания
1.5 В

Количество ранков
2

Популярные марки модулей памяти в этом разделе

Похожие на этот модуль памяти товары

Оставьте своё мнение о товаре Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273TB0-CK000 (осталось 5000 символов)
Ваше имя:
Код с картинки:Контрольные символы

Отправляя отзыв, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности сайта