Объем памяти 4 ГБ
Тип DDR3 SODIMM 204-pin
Тактовая частота 1600 МГц
Тайминги 11
Напряжение питания 1.5 В
Пропускная способность PC12800
Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: Samsung M471B5173BH0-CK0Samsung M471B5273DH0-CK0Samsung M471B5273CH0-CK0Samsung M471B5173BH0-CK0Samsung M471B5273EB0-CK0Обратите внимание, что данная модель памяти имеет параметр питания 1.5V, например на процессорах Intel 4-ого поколения (Haswell) -
CAS Latency (CL): 11; Напряжение питания: 1.35 В; Частота: 1600 МГц; Тип: DDR3L; Объем RAM: 8192 GB; Форм-фактор: SO-DIMM; Бренд производителя: Silicon Power
Описание Kingston DDR-III 4GB (PC3-12800) 1600MHz SO-DIMM SR X8Производитель KingstonСерия ValueRAMМодель KVR16S11S8/4Тип оборудования Модуль памяти SO-DIMM DDR3Объем модуля памяти 4 Гбнайти похожую памятьКоличество модулей в комплекте 1ПроизводительностьЧастота функционирования до 1600 МГцСтандарт памяти PC3-12800 (DDR3 1600 МГц)Пропускная
Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 11
Оперативная память для ноутбука 2GB DDR2 800MHz PC2-6400S NT2GT64U8HD0BN-AD. Производится из высококачественных материалов, что гарантирует стабильную работу и высокий срок службы.
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
Бренды
Товарные группы
Магазины
Акции и скидки
Блог