Оперативная память Kingston 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 KVR16S11/4 / Описание

Где купить 2Описание

Общие характеристики

Тип памяти
DDR3

Форм-фактор
SODIMM 204-контактный

Тактовая частота
1600 МГц

Пропускная способность
12800 Мб/с

Объем
1 модуль 4 Гб

Поддержка ECC
нет

Буферизованная (Registered)
нет

Низкопрофильная (Low Profile)
нет

Тайминги

CAS Latency (CL)
11

RAS to CAS Delay (tRCD)
11

Row Precharge Delay (tRP)
11

Дополнительно

Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка

Напряжение питания
1.5 В

Количество ранков
2

Популярные марки модулей памяти в этом разделе

Похожие на этот модуль памяти товары

Оставьте своё мнение о товаре Оперативная память Kingston 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 KVR16S11/4 (осталось 5000 символов)
Ваше имя:
Код с картинки:Контрольные символы

Отправляя отзыв, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности сайта