-
Оперативная память Kimtigo DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 KMTS8GF581600
Название Оперативная память Kimtigo DDR3L 1600 МГц CL11 (KMTS8GF581600). Категория Модули памяти. Описание типDDR3L, объем одного модуля8 ГБ, объем одного модуля (точно)8 ГБ, тактовая частота1600 МГц, форм-факторSODIMM, количество модулей в комплекте1 шт, CL11. Тип DDR3L. Форм-фактор
-
Оперативная память Kimtigo DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 KMKS16GF682666
БрендKIMTIGOТип памятиDDR4Частотная спецификация2666Количество в упаковке1Тип поставкиRetФорм-факторSO-DIMMБуферизацияunbufferedКоличество контактов260-pinСкорость (тест)2666МГцНапряжение (тест)1.2ВЛатентностьCL19Количество рангов (Ranks)single rankPartNumber/Артикул ПроизводителяKMKS16GF682666Объем16384Размер (модули памяти)16384/2666МодельKMKS16GF682666Показатель скоростиPC4-21300Задержка (тест)19-19-19Ссылка на сайт поставщика/вендораkimtigo. com. cn/products_detail/67. htmlВес упаковки (ед)0.044 . adpar_property_list td > span, . adpar_property_list td > . adpar_property_list
-
Оперативная память Kimtigo DDR4 SODIMM CL19 KMKS4G8582666
Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR4, обладает емкостью 4 ГБ и 260-контактным модулем. Предельная частота работы устройства достигает 2666 МГц, а пропускная
-
Оперативная память Kimtigo DDR4 2666 МГц DIMM CL19 KMKU16GF682666
БрендKIMTIGOТип памятиDDR4Частотная спецификация2666Количество в упаковке1Тип поставкиRetФорм-факторDIMMБуферизацияunbufferedКоличество контактов288-pinСкорость (тест)2666МГцЛатентностьCL19Объем16384Размер (модули памяти)16384/2666PartNumber/Артикул ПроизводителяKMKU16GF682666МодельKMKU16GF682666Показатель скоростиPC4-21300Напряжение (тест)1.2ВЗадержка (тест)19-19-19Количество рангов (Ranks)single rankСсылка на сайт поставщика/вендораkimtigo. com. cn/products_detail/81. htmlВес упаковки (ед)0.045 . adpar_property_list td > span, . adpar_property_list td > . adpar_property_list
-
Оперативная память Foxline 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11
None
-
Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 QUM3S-4G1600C11L
Основные характеристики Количество контактов 204 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Модель QUM3S-4G1600C11L Напряжение (В) 1.35 Низкопрофильная нет Общий объем памяти (ГБ) 4 Объем одного модуля (ГБ) 4 Поддержка Reg Нет Производитель Qumo Пропускная способность (МБ/с)
-
Оперативная память Crucial 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11
ОписаниеDDR3L 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x8 ГБ, 1.35 В , CL 11Подробные характеристикиОбщие характеристикиТип памятиDDR3LФорм-факторSODIMM 204-контактныйТактовая частота1600 МГцПропускная способность12800 МБ/сОбъем1 модуль 8 ГБПоддержка ECCнетПоддержка XMPнетБуферизованная (Registered)нетНизкопрофильная (Low Profile)нетТаймингиCAS Latency (CL)11ДополнительноНапряжение питания1.35 В
-
Оперативная память Patriot Memory SL 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 PSD34G1600L81S
Модель PSD34G1600L81S Количество контактов 204-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (тест) 1.35В Задержка (тест) 11-11-11 Латентность CL11 Бренд PATRIOT PartNumber/Артикул Производителя PSD34G1600L81S Количество рангов (Ranks) dual rank Тип памяти DDR3L Объем 4096 Частотная спецификация
-
Оперативная память Qumo 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 QUM3S-8G1600C11L
Оперативная память предназначена для использования в мобильных системах с небольшими габаритами. Модуль относится к стандарту DDR3, имеет рабочую частоту 1600 ГГц. В комплекте поставляется одна плашка для установки в соответствующий слот на материнской плате. Объем составляет
-
Оперативная память Kingston ValueRAM 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 KVR16LS11 / 4WP
Модель KVR16LS11/4WP Особенности Напряжение питания 1.35 В или 1.5 В Количество контактов 204-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (тест) 1.35В Задержка (тест) 11-11-11 Латентность CL11 Бренд KINGSTON PartNumber/Артикул Производителя KVR16LS11/4WP Количество рангов (Ranks)
Бренды
Товарные группы
Магазины
Акции и скидки
Блог
