Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 HMA851S6CJR6N-VK / Описание

Где купить 1Описание

объем памяти: 4 ГБтип: DDR4 SODIMM 260-pinтактовая частота: 2666 МГцтайминги: 19-19-19напряжение питания: 1.2 Впропускная способность: PC21300

Популярные марки модулей памяти в этом разделе

Похожие на этот модуль памяти товары

Оставьте своё мнение о товаре Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 HMA851S6CJR6N-VK (осталось 5000 символов)
Ваше имя:
Код с картинки:Контрольные символы

Отправляя отзыв, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности сайта