Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 HMT451U6AFR8C-PB / Описание

Где купить 1Описание

Подробные характеристики
Общие характеристики
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM 240-контактный
Тактовая частота
1600 МГц
Пропускная способность
12800 МБ/с
Объем
1 модуль 4 ГБ
Поддержка ECC
нет
Поддержка XMP
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Тайминги
CAS Latency (CL)
11
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля
8, односторонняя упаковка
Напряжение питания
1.5 В
Количество ранков
1

Популярные марки модулей памяти в этом разделе

Похожие на этот модуль памяти товары

Оставьте своё мнение о товаре Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 HMT451U6AFR8C-PB (осталось 5000 символов)
Ваше имя:
Код с картинки:Контрольные символы

Отправляя отзыв, Вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности сайта