Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; Напряжение питания: 1.5В; Пропускная способность: 12800; Форм-фактор: DIMM; Общий объем памяти: 8ГБ; Количество модулей в комплекте: 1; Объем памяти одного модуля: 8ГБ; Количество контактов: 240; RAS to CAS Delay
Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; Напряжение питания: 1.2В; Пропускная способность: 21300; Форм-фактор: SODIMM; Общий объем памяти: 8ГБ; Количество модулей в комплекте: 1; Объем памяти одного модуля: 8ГБ; Количество контактов: 260; RAS to CAS Delay
Тип памяти: DDR4; CAS Latency (CL): 19; Напряжение питания: 1.2В; Пропускная способность: 21300; Форм-фактор: U-DIMM; Общий объем памяти: 8ГБ; Количество модулей в комплекте: 1; Объем памяти одного модуля: 8ГБ; Тип поставки: BOX; Количество контактов: 288; Назначение: