Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; Напряжение питания: 1.5В; Пропускная способность: 12800; Форм-фактор: DIMM; Общий объем памяти: 4ГБ; Количество модулей в комплекте: 1; Объем памяти одного модуля: 4ГБ; Количество контактов: 240; Количество ранков: 1; Назначение: