-
Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR3L 4GB 1.3v 1600Мгц для ноутбука
Оперативная память 4 ГБ 2 шт. Samsung DDR3L 1600 SO-DIMM 4Gb 1.3v 2Rx4 PC3L-12800S-11-11-F3 DDR3L 1.3v-1.35v SO-DIMM -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2011-2015й год иногда 2016-Intel: i3-2го i3-3го i3-4го(поколения)-Intel: i5-2го i5-3го i5-4го (поколения)-Intel: i7-2го
-
KLLISRE Оперативная память DDR3 8Gb 1600Мгц с радиатором
Производитель: Kllisre Тип памяти: DDR 3 Объем: 8 Gb Тактовая частота: 1600 МГц (12800 МБ/с) Буферизованная (Registered): нет Поддержка ECC: нет Форм-фактор DIMM 240: контактный Напряжение питания 1.5 В DDR3-1600 PC3-12800u-CL11
-
KLLISRE Оперативная память DDR3 8Gb 1600Мгц с радиатором. Красная
Производитель: Kllisre Тип памяти: DDR 3 Объем: 8 Gb Тактовая частота: 1600 МГц (12800 МБ/с) Буферизованная (Registered): нет Поддержка ECC: нет Форм-фактор DIMM 240: контактный Напряжение питания 1.5 В DDR3-1600 PC3-12800u-CL11
Цвет:
-
KLLISRE Оперативная память DDR3 8Gb 1600Мгц с радиатором. Черная
Производитель: KllisreТип памяти: DDR 3Объем: 8 GbТактовая частота: 1600 МГц (12800 МБ/с)Буферизованная (Registered): нетПоддержка ECC: нетФорм-фактор DIMM 240: контактныйЧипы памяти: SEC - Samsung ElectronicsНапряжение питания 1.5 ВDDR3-1600 PC3-12800u-CL11
Цвет:
-
KLLISRE Оперативная память DDR3 8Gb 1600Мгц с радиатором. Серая
Производитель: Kllisre Тип памяти: DDR 3 Объем: 8 Gb Тактовая частота: 1600 МГц (12800 МБ/с) Буферизованная (Registered): нет Поддержка ECC: нет Форм-фактор DIMM 240: контактный Напряжение питания 1.5 В DDR3-1600 PC3-12800u-CL11
Цвет:
-
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3, 4ГБ, 1600МГц, PC3-12800
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
-
Модуль памяти Kingston DIMM DDR3, 4ГБ, 1600МГц, PC3-12800
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
-
Оперативная память SO-DIMM Samsung DDR3 8GB PC3L 1.3V 1600Мгц для ноутбука 2шт
Оперативная память 8 ГБ Samsung DDR3L 1600 SO-DIMM 8Gb 1.3v -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2011-2015й год иногда 2016-Intel: i3-2го i3-3го i3-4го(поколения)-Intel: i5-2го i5-3го i5-4го (поколения)-Intel: i7-2го i7-3го i7-4го (поколения)-на всю серию N**** -AMD
-
Оперативная память Patriot Signature DDR3 8GB 1600МГц (PSD38G16002S)
Тип памяти: DDR3; CAS Latency (CL): 11; Напряжение питания: 1.5В; Пропускная способность: 12800; Глубина: 3.9; Высота: 30; Ширина: 69; Вес: 9; Форм-фактор: SODIMM; Общий объем памяти: 8ГБ; Количество модулей в комплекте: 1; Объем памяти одного модуля:
-
Оперативная память Patriot Signature DDR3 8GB 1600МГц (PSD38G1600L2S)
Тип памяти: DDR3L; CAS Latency (CL): 11; Напряжение питания: 1.35В; Пропускная способность: 12800; Глубина: 3; Высота: 30; Ширина: 69; Вес: 9; Форм-фактор: SODIMM; Общий объем памяти: 8ГБ; Количество модулей в комплекте: 1; Объем памяти одного модуля: