-
Оперативная память AMD 2 ГБ DDR3 SODIMM CL11 R532G1601S1S-UO
Для модернизации вашего рабочего ноутбука хорошим вариантом является модуль памяти AMD R532G1601S1S-UO. Оснащенный 2 Гб памяти, он справится с запуском офисных приложений, просмотром фотографий и видео, работой в сети Интернет. Характеризующаяся быстродействием память третьего поколения выделяет
-
Оперативная память AMD 8 ГБ SODIMM CL11 R538G1601S2S-UO
Частотная спецификация1600Форм-факторSO-DIMMТип поставкиOEMКоличество в упаковке1Тип памятиDDR3БрендAMDОбъем8192PartNumber/Артикул ПроизводителяR538G1601S2S-UOМодельR538G1601S2S-UOКоличество контактов204-pinПоказатель скоростиPC3-12800Скорость (тест)1600МГцНапряжение (тест)1.5ВЗадержка (тест)11-11-11-28ЛатентностьCL11Буферизацияunbuffered . adpar_property_list td > span, . adpar_property_list td > . adpar_property_list tr td: first-child { text-align: left; padding-right: 10px; padding-left: 0px; } . adpar_property_list
-
Оперативная память AMD 2Gb DDR-III 1600MHz SO-DIMM (R532G1601S1S-UO)
Рабочая частота - 1600 МГц; Объем памяти - 2 Гб; Тип памяти - DDR3;
-
Оперативная память AMD 2 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 R532G1601U1SL-UO
Подробные характеристикиОбщие характеристикиТип памятиDDR3LФорм-факторDIMM 240-контактныйТактовая частота1600 МГцПропускная способность12800 МБ/сОбъем1 модуль 2 ГБПоддержка ECCнетБуферизованная (Registered)нетНизкопрофильная (Low Profile)нетТаймингиCAS Latency (CL)11RAS to CAS Delay (tRCD)11Row Precharge Delay (tRP)11Activate to Precharge Delay (tRAS)28ДополнительноКоличество чипов каждого модуля8Напряжение питания1.35 ВРадиаторестьПеред покупкой уточняйте
-
Оперативная память AMD SODIMM CL11 R534G1601S1S-UG
Модель R534G1601S1S-UG Количество контактов 204-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (тест) 1.5В Задержка (тест) 11-11-11-28 Латентность CL11 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R534G1601S1S-UG Размер (модули памяти) 4096/1600 Вес упаковки (ед) 0.016 Тип памяти DDR3 Объем
-
Оперативная память AMD 4 ГБ DDR3 SODIMM CL11 R534G1601S1SL-UO
Напряжение питания (В): 1.35 ВСтандарт: DDR3Форм-фактор: SODIMMВид поставки: BulkОбъем одного модуля: 4 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объем: 4 ГБЭффективная частота: 1600 МГцПропускная способность: 12800 Мб/сПоддержка ECC: НетБуферизованная (регистровая): НетНизкопрофильная: НетКоличество контактов: 204CAS Latency (CL):
-
Оперативная память AMD 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 R534G1601S1S-UO
Напряжение питания (В): 1.5 ВСтандарт: DDR3Форм-фактор: SODIMMВид поставки: OEMОбъем одного модуля: 4 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объем: 4 ГБЭффективная частота: 1600 МГцПропускная способность: 12800 Мб/сПоддержка ECC: НетБуферизованная (регистровая): НетНизкопрофильная: НетКоличество контактов: 204CAS Latency (CL):
-
Оперативная память AMD Radeon R5 Entertainment Series 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 R538G1601S2SL-U
8-гигабайтная оперативная память SODIMM AMD [R538G1601S2SL-U] – отличный вариант для комплектации мобильного компьютера. Это устройство памяти можно использовать как для модернизации существующих модулей памяти, так и, при наличии соответствующей технической возможности, для увеличения количества установленной оперативной
-
Оперативная память AMD Radeon R5 Entertainment Series 4 ГБ DDR3 DIMM CL11 R534G1601U1S-U
Модель R534G1601U1S-U Количество контактов 240-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (тест) 1.5В Задержка (тест) 11-11-11-28 Латентность CL11 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R534G1601U1S-U Размер (модули памяти) 4096/1600 Вес упаковки (ед) 0.03 Тип памяти DDR3 Объем
-
Оперативная память AMD 8 ГБ DDR3L DIMM CL11 R538G1601U2SL-U
Оперативная память AMD Radeon R5 Entertainment Series [R538G1601U2SL-U] – быстрое и удобное средство, чтобы ускорить производительность такого родного и привычного для вас компьютера. От вас потребуется только установить AMD Radeon R5 Entertainment Series [R538G1601U2SL-U] в нужный