черныйПроизводитель: Kllisre
Тип памяти: DDR 3
Объем: 8 Gb
Тактовая частота: 1600 МГц (12800 МБ/с)
Буферизованная (Registered): нет
Поддержка ECC: нет
Форм-фактор DIMM 240: контактный
Чипы памяти: SEC - Samsung Electronics
Напряжение питания 1.5 В
DDR3-1600 PC3-12800u-CL11
Производитель: Kllisre Тип памяти: DDR 3 Объем: 8 Gb Тактовая частота: 1600 МГц (12800 МБ/с) Буферизованная (Registered): нет Поддержка ECC: нет Форм-фактор DIMM 240: контактный Напряжение питания 1.5 В DDR3-1600 PC3-12800u-CL11
Производитель: Kllisre Тип памяти: DDR 3 Объем: 8 Gb Тактовая частота: 1600 МГц (12800 МБ/с) Буферизованная (Registered): нет Поддержка ECC: нет Форм-фактор DIMM 240: контактный Напряжение питания 1.5 В DDR3-1600 PC3-12800u-CL11
Цвет:
Производитель: Kllisre Тип памяти: DDR 3 Объем: 8 Gb Тактовая частота: 1600 МГц (12800 МБ/с) Буферизованная (Registered): нет Поддержка ECC: нет Форм-фактор DIMM 240: контактный Напряжение питания 1.5 В DDR3-1600 PC3-12800u-CL11
Цвет:
Оперативная память DDR3 8Гб 1600Мгц с радиаторами. ==================================================Оперативная память типа DDR3 Kllisre 1600 МГц 8Gb PC3-12800-CL11 обладает высокой пропускной способностью, но не имеет поддержки ECC и буфера, что способствует увеличенной частоте приема данных при снижении энергопотребления
Оперативная память Kllisre DDR3 1600 МГц для компьютера ПК Грамотный подбор ОЗУ — непростая задача, поскольку необходимо учесть большое количество факторов: тактовую частоту, тайминги, потенциал разгона, систему охлаждения.
Оперативная память Kllisre DDR3 8 ГБ 1600 с радиатором
Производитель: Kllisre Тип памяти: DDR 4 Объем: 8 Gb Тактовая частота: 3200 МГц (25600 МБ/с) Буферизованная (Registered): нет Поддержка ECC: нет Форм-фактор DIMM 240: контактный DDR4-3200 PC4-25600U-CL19
Оперативная память типа DDR3 Kllisre 1600 МГц 8Gb PC3-12800-CL11 обладает высокой пропускной способностью, но не имеет поддержки ECC и буфера, что способствует увеличенной частоте приема данных при снижении энергопотребления и тепловыделения. Напряжение питания при работе составляет
Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 8; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered):
Оперативная память Kllisre DDR3 1600 МГц для ноутбука Грамотный подбор ОЗУ — непростая задача, поскольку необходимо учесть большое количество факторов: тактовую частоту, тайминги, потенциал разгона, систему охлаждения.
Бренды
Товарные группы
Магазины
Акции и скидки
Блог