-
Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 M378B5773CH0-CH9
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273CH0-CK0
Подробные характеристики Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency
-
Оперативная память для компьютера DIMM DDR3 8ГБ Samsung M378B1G73DB0-CK0 1600MHz (PC3-12800) 240-Pin, 1.5V, Retail
Оперативная память для компьютера DIMM DDR3 8ГБ Samsung M471B5273DH0-CK0, M378B1G73DB0-CK0 1600MHz (PC3-12800) 240-Pin, 1.5V, Retail
-
Оперативная память Samsung DDR3 1333 МГц DIMM CL11 M378B1G73DH0-CK0
Оперативная память для компьютера DIMM DDR3 8ГБ Samsung M378B1G73DH0-CK0 1333MHz (PC3-10600) 240-Pin, 1.5V, Retail
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M391B1G73BH0-CK0
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц RDIMM CL11 M393B1G70BH0-CK0
Оперативная память Samsung 8GB DDR3-1600MHz Reg ECC, M393B1G70BH0-CK0Q8. Стандарт: DDR3. Форм-фактор: DIMM. Объем: 8 ГБ. Эффективная частота: 1600 МГц. Пропускная способность: 12800 Мб/с. Поддержка ECC: Есть. Буферизованная (регистровая): Есть. Низкопрофильная: Нет. Количество контактов: 240. Количество ранков:
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M391B5273DH0-CK0
Модуль памяти DDR3 4Gb M391B5273DH0-YK0 Unbuffered Samsung PC3-12800E 1600 UDIMM 2RX8 1,5V Dual Rank Rank Модули памяти для серверов DELL HP , 4gb, new oem Аналог 662609-571
-
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273DH0-CK0
Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: Samsung M471B5173BH0-CK0Samsung M471B5273DH0-CK0Samsung M471B5273CH0-CK0Samsung M471B5173BH0-CK0Samsung M471B5273EB0-CK0Обратите внимание, что данная модель памяти имеет параметр питания 1.5V, например на процессорах Intel 4-ого поколения (Haswell) -
-
Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Samsung DDR3 1R8 1600 SO-DIMM 4Gb 12800 Мб / с (M471B5173BH0-CK0 )
Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb 12800 Мб/с (M471B5173BH0-CK0 ) 1R8 8 чиповая по 4 чипа на каждой стороне 4GB 1Rx8 PC-12800-11-11-B2 Подробные характеристики Характеристики Тип DDR3 Форм-фактор SODIMM Количество модулей
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M378B5273TB0-CK000
Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Количество чипов каждого модуля