-
Оперативная память QNAP 8 ГБ SODIMM CL11 RAM-8GDR3-SO-1600
EANCode 4712511125344… adpar_property_list td > span, . adpar_property_list td > … adpar_property_list tr td: first-child { text-align: left; padding-right: 10px; padding-left: 0px; }… adpar_property_list tr td: first-child > span,… adpar_property_list tr td: first-child > … adpar_property_list
-
Оперативная память QNAP 4 ГБ SODIMM CL11 RAM-4GDR3LA0-SO-1866
ХарактеристикиТипDDR3LФорм-факторSODIMMКоличество модулей в комплекте1 шт. Объем одного модуля4 ГБТактовая частота1866 МГцПропускная способностьPC14900CL11Напряжение питания1.2 ВКоличество контактов204ДополнительноСрок службы1 г. Гарантийный срок1 г.
-
Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 551060
-
Оперативная память Kingston ValueRAM 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 KVR16S11 / 8
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 8 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11
-
Оперативная память Kingston ValueRAM 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 KVR16S11S8 / 4
Описание Kingston DDR-III 4GB (PC3-12800) 1600MHz SO-DIMM SR X8Производитель KingstonСерия ValueRAMМодель KVR16S11S8/4Тип оборудования Модуль памяти SO-DIMM DDR3Объем модуля памяти 4 Гбнайти похожую памятьКоличество модулей в комплекте 1ПроизводительностьЧастота функционирования до 1600 МГцСтандарт памяти PC3-12800 (DDR3 1600 МГц)Пропускная
-
Оперативная память DIGMA DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 1784232
Артикул № 964616 Оперативная память DDR3 SO-DIMM объемом 4 ГБ способна модернизировать ПК за счет повышения производительности и отзывчивости на выполнение самых разных компьютерных задач. Модуль работает на частоте 1600 МГц с пропускной способностью в
-
Оперативная память Kingston 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 KVR16S11 / 4
Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 11
-
Оперативная память Silicon Power 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11
CAS Latency (CL): 11; Напряжение питания: 1.35 В; Частота: 1600 МГц; Тип: DDR3L; Объем RAM: 8192 GB; Форм-фактор: SO-DIMM; Бренд производителя: Silicon Power
-
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273DH0-CK0
Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm Совместимые модели: Samsung M471B5173BH0-CK0Samsung M471B5273DH0-CK0Samsung M471B5273CH0-CK0Samsung M471B5173BH0-CK0Samsung M471B5273EB0-CK0Обратите внимание, что данная модель памяти имеет параметр питания 1.5V, например на процессорах Intel 4-ого поколения (Haswell) -
-
Оперативная память QNAP 4 ГБ DIMM CL17 RAM-4GDR4A0-UD-2400
EANCode 4713213512043… adpar_property_list td > span, . adpar_property_list td > … adpar_property_list tr td: first-child { text-align: left; padding-right: 10px; padding-left: 0px; }… adpar_property_list tr td: first-child > span,… adpar_property_list tr td: first-child > … adpar_property_list