-
KLLISRE Оперативная память DDR4 8Gb 3200Мгц с радиатором
Производитель: Kllisre Тип памяти: DDR 4 Объем: 8 Gb Тактовая частота: 3200 МГц (25600 МБ/с) Буферизованная (Registered): нет Поддержка ECC: нет Форм-фактор DIMM 240: контактный DDR4-3200 PC4-25600U-CL19
-
Оперативная память DDR4 8GB 3200Мгц PC4 25600U CL19 Kllisre 8Гб с радиаторами игровая
Оперативная память с радиаторами игровая 3200Мгц обьемом 8Гб Используются чипы производства Hynix, SEC (Samsung), Micron и проходит через различные типы ручного тестирования, она в состоянии предоставить пользователям высокую производительностью и высокую стабильность работы системы в течении
-
Оперативная память DDR4 16GB 2666Мгц PC4 21300U CL19 Kllisre 16Гб с радиаторами игровая
Оперативная память с радиаторами игровая 2666Мгц обьемом 16Гб Используются чипы производства Hynix, SEC (Samsung), Micron и проходит через различные типы ручного тестирования, она в состоянии предоставить пользователям высокую производительностью и высокую стабильность работы системы в течении
-
Оперативная память Kingston DDR4 3200 МГц DIMM CL22
Характеристики Kingston KSM32RD4/64MFR Основные характеристики Тип памяти DIMM DDR4 Форм-фактор памяти RDIMM Объем одного модуля 64 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем комплекта 64 ГБ Эффективная частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/c
-
Оперативная память DELL 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 370-AEXY
Память DDR4 DELL 370-AEXY 16ГБ DIMM, ECC, registered, PC4-25600, 3200МГц Надёжный производитель, зарекомендовавший себя за соотношение цены и качества
-
Оперативная память DDR4 8GB 2666Мгц PC4 21300U CL19 Kllisre 8Гб с радиаторами игровая
Оперативная память с радиаторами игровая 2666Мгц обьемом 8Гб Используются чипы производства Hynix, SEC (Samsung), Micron и проходит через различные типы ручного тестирования, она в состоянии предоставить пользователям высокую производительностью и высокую стабильность работы системы в течении
-
Оперативная память для компьютера (DIMM) 8 Gb Azerty DDR4 3200 МГц
-
KLLISRE Оперативная память DDR3 8Gb 1600Мгц с радиатором
Производитель: Kllisre Тип памяти: DDR 3 Объем: 8 Gb Тактовая частота: 1600 МГц (12800 МБ/с) Буферизованная (Registered): нет Поддержка ECC: нет Форм-фактор DIMM 240: контактный Напряжение питания 1.5 В DDR3-1600 PC3-12800u-CL11
-
KLLISRE Оперативная память для ноутбука 4ГБ DDR3L 1333 МГц SO-DIMM PC3L-10600S-CL11 4Gb 1.35V
Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 4; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered):
-
Оперативная память HUAWEI 16 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM 06200286
Оперативная память DDR4 RDIMM с тактовой частотой 2933 MHz, серия модуля PC4-23400, пропускная способность 23400 MB/s Registered. Форм-фактор модуля DIMM с высотой 31 мм. напряжение 1.2 В. Huawei 06200286