-
Оперативная память Kingston DDR5 4800 МГц DIMM CL40 KVR48U40BD8-32
Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 40 высота(см) 4 длина(см) 15 масса(кг) 0.04 ширина(см) 0.5 GTD Number 10005030/210423/3103862/053 GTIN 00740617325058 Cтрана-производитель Тайвань (китай) Партномер KVR48U40BD8-32 RAS to CAS Delay (tRCD) 39 Row Precharge
-
Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц DIMM CL40 M321R4GA0BB0-CQK
Назначение: для сервера Тип поставки: один модуль 1x32Гб Тип памяти: DDR5 Форм-фактор: RDIMM Тактовая частота:4800 МГц Пропускная способность:38400 Мб/с Поддержка ECC: да Буферизованная (RDIMM): нет Латентность: н. д. Объем одного модуля:32 Гб Кол-во модулей в упаковке:1
-
Оперативная память для компьютера 8Gb (1x8Gb) PC5-38400 4800MHz DDR5 DIMM CL40 KingMax KM-LD5-4800-8GS KM-LD5-4800-8GS
Корпус - DIMM; Электропитание - 1.1 В; Название товара - Модуль оперативной памяти;
-
Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц DIMM CL40 M321R4GA3BB6-CQK
Оперативная память DDR5 RDIMM с тактовой частотой 4800 MHz, серия модуля PC5-38400, пропускная способность 38400 MB/s Registered. Форм-фактор модуля DIMM с высотой 31 мм. напряжение 1.1 В. Samsung M321R4GA3BB6-CQK
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR5 4800 МГц DIMM CL40 M323R1GB4BB0-CQK
Производительность DDR5 более, чем в два раза выше, чем DDR4, это обеспечивает пропускную способность до 7200 мегабит в секунду (Мбит/с). Новый модуль подходит для выполнения самых требовательных к вычислениям и пропускной способности задач, относящихся к суперкомпьютерам,
-
Оперативная память Patriot Memory SL 32 ГБ DDR5 4800 МГц DIMM CL40 PSD532G4800K
Модули памяти Patriot Signature Line DDR5 предназначены для значительного повышения производительности платформ Intel следующего поколения. Модули Signature DDR5 потребляют всего 1,1 В питания, потребляя меньше энергии и выделяя меньше тепла, несмотря на повышенную частоту и скорость.
-
Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц RDIMM CL40 M321R2GA3BB6-CQK
Предупреждение Данный модуль работоспособен только в серверных материнских платах и серверных платформах с поддержкой регистровой памяти. В обычных платах с DDR5 не работает Основные характеристики Производитель Samsung Модель M321R2GA3BB6-CQK Тип оборудования Модуль памяти Registered DDR5 Объем
-
Оперативная память Samsung DDR5 4800 МГц SODIMM CL40 M425R2GA3BB0-CQKOL
Название Память оперативная DDR5 Samsung 16Gb SO-DIMM DDR5 SEC (PC5-38400, 4800, CL40) 1.1V (M425R2GA3BB0-CQK). Тип DDR5. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 16 ГБ. Тактовая частота 4800 МГц. Пропускная способность PC38400.
-
Оперативная память Kingmax KM-LD5-4800-16GS DDR5 - 1x 16ГБ 4800МГц, DIMM, Ret
288-pin; частота: 4800 МГц; латентность: CL40; форм-фактор: DIMM; тип поставки: Ret
-
Оперативная память ADATA 16 ГБ DDR5 4800 МГц SODIMM CL40 AD5S480016G-S
Модуль памяти ADATA AD5S480016G-S AD5S480016G-S. Модуль DDR5 предлагает множество преимуществ по сравнению с предыдущими поколениями памяти DRAM, в то время как A-Data обеспечивает самое высокое качество и самую эффективную производительность. Удобные модули памяти DDR5 4800 SO-DIMM,