-
Оперативная память HP 8 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11
Описание: HP 8GB (1x8GB) Dual Rank x4 PC3L-12800R (DDR3-1600) Registered CAS-11 Low Voltage Memory Kit Part Number(s) Option Part# 713983-B21 Spare Part# 715283-001 Assembly Part# 713755-071 Обзор: Используйте параметры памяти сервера HP для повышения производительности
-
Оперативная память HP 4 ГБ DDR3L 1600 МГц RDIMM CL11 713981-B21
HP 4GB (1x4GB) 1Rx4 PC3L-12800R-11 Low Voltage Registered DIMM (713981-B21). Этот модуль памяти имеет емкость 4 ГБ и работает на частоте 1600 МГц. Он использует технологию DDR3L SDRAM и имеет форм-фактор 240-pin DIMM. Модуль памяти поддерживает
-
Оперативная память WALRAM DDR3L 8 ГБ 1600 МГЦ SODIMM
Оперативная память Walram форм-фактора SO-DIMM, типа DDR3L с напряжением 1.35 В, и емкостью одного модуля равной 8 Гб, предназначена для широкого спектра различных ноутбуков - игровых, рабочих, мультимедийных. Оперативная память Walram оснащается чипами одного из мировых
-
Оперативная память Foxline 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11
None
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v
Оперативная память Samsung 8 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v - это высокопроизводительный модуль памяти, разработанный для обеспечения максимальной производительности и стабильности работы вашего компьютера. Тип памяти DDR3L обеспечивает высокую скорость и эффективность работы, а
-
Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 HMT351S6EFR8A-PB
Тип памяти DDR3L Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 11
-
Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 HMT451S6BFR8A-PB
Оперативная память для ноутбука 4GB 1600MHz PC3L-12800S HMT451S6BFR8A-PB
-
Оперативная память Crucial 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11
ОписаниеDDR3L 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x8 ГБ, 1.35 В , CL 11Подробные характеристикиОбщие характеристикиТип памятиDDR3LФорм-факторSODIMM 204-контактныйТактовая частота1600 МГцПропускная способность12800 МБ/сОбъем1 модуль 8 ГБПоддержка ECCнетПоддержка XMPнетБуферизованная (Registered)нетНизкопрофильная (Low Profile)нетТаймингиCAS Latency (CL)11ДополнительноНапряжение питания1.35 В
-
Оперативная память Kingston ValueRAM 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 KVR16LS11 / 4WP
Модель KVR16LS11/4WP Особенности Напряжение питания 1.35 В или 1.5 В Количество контактов 204-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (тест) 1.35В Задержка (тест) 11-11-11 Латентность CL11 Бренд KINGSTON PartNumber/Артикул Производителя KVR16LS11/4WP Количество рангов (Ranks)
-
Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 QUM3S-4G1600C11L
Основные характеристики Количество контактов 204 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Модель QUM3S-4G1600C11L Напряжение (В) 1.35 Низкопрофильная нет Общий объем памяти (ГБ) 4 Объем одного модуля (ГБ) 4 Поддержка Reg Нет Производитель Qumo Пропускная способность (МБ/с)