-
KLLISRE Оперативная память для ноутбука 4ГБ DDR3L 1333 МГц SO-DIMM PC3L-10600S-CL11 4Gb 1.35V
Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 4; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered):
-
KLLISRE Оперативная память для ноутбука 8ГБ DDR3L 1600 МГц SO-DIMM PC3L-12800S-CL11 8Gb 1.35V
Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 8; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered):
-
KLLISRE Оперативная память для ноутбука 8ГБ DDR3 1333 МГц SO-DIMM PC3-10600S-CL11 8Gb 1.5V
Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 8; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered):
-
KLLISRE Оперативная память для ноутбука 8ГБ DDR3 1600 МГц SO-DIMM PC3-12800S-CL11 8Gb 1.5V
Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 8; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1600 МГц; Пропускная способность: 12800 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered):
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v
Оперативная память Samsung 8 ГБ PC3L (DDR3L) 1600 МГц SODIMM 1,35v - это высокопроизводительный модуль памяти, разработанный для обеспечения максимальной производительности и стабильности работы вашего компьютера. Тип памяти DDR3L обеспечивает высокую скорость и эффективность работы, а
-
Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR3L 8Gb Kingston KVR1333D3S9 / 8G 1333MHz (PC3L-10600), 1.5V, 240-Pin, CL9, Retail
Модуль памяти Kingston KVR1333D3S9/8G SODIMM DDR3L 8ГБ 1333 MHz 1.35V
-
Оперативная память IBM 8GB 1.35V PC3L-10600 CL9 ECC REG DDR3 1333MHz LP [49Y3778]
Память 49Y3778 IBM Express 8GB PC3-10600 CL9 ECC DDR3 1333MHz LP
-
Модуль памяти SODIMM DDR3L 8GB Qumo QUM3S-8G1600C11L PC3L-12800 1600Mhz CL11 1.35V RTL
Вес - 150 г.;
-
Модуль памяти SODIMM DDR3L 8GB Patriot Memory PSD38G1600L2S PC3L-12800 1600MHz CL11 1.35V RTL
Вес - 30 г.;
-
Оперативная память 8 ГБ DDR3 1600 МГц Kllisre 8Gb PC3-12800-CL11
Оперативная память типа DDR3 Kllisre 1600 МГц 8Gb PC3-12800-CL11 обладает высокой пропускной способностью, но не имеет поддержки ECC и буфера, что способствует увеличенной частоте приема данных при снижении энергопотребления и тепловыделения. Напряжение питания при работе составляет