-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A5244CB0-CTD
Память SO-DIMM DDR4 4Gb 2666MHz Samsung [M471A5244CB0-CTD] - это 4-гигабайтная оперативная память SODIMM, выпущенная легендарным производителем компьютерной и другой техники Samsung. Память соответствует типу DDR4, который в настоящее время является самым распространенным. Память рассчитана на интенсивную
-
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A2K43CB1-CRC
Модуль памяти Samsung SODIMM DDR4 - временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ. P/N M471A2K43CB1-CRCCL17 17-17-17-39
-
Оперативная память Samsung Basic 8 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A1K43CB1-CRC
8-гигабайтная оперативная память SODIMM Samsung [M471A1K43CB1-CRC] является отличным вариантом для модернизации мобильного компьютера, в котором используется память DDR4. Увеличив объем памяти, вы сможете повысить скорость работы операционной системы и большинства программ. Ноутбук, оборудованный 8 гигабайтами памяти,
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1-CWED0
Оперативная память SODIMM Samsung [M471A1K43DB1-CWE] великолепно подходит для комплектации ноутбуков и мини-ПК, рассчитанных на достижение общего уровня производительности, значительно превышающего средний. Объем модуля равен 8 ГБ. Основные характеристики памяти красноречивы: тактовая частота равна 3200 МГц, а
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 M471A5143SB1-CRCD0
Тип DDR4Форм-фактор SODIMMКоличество модулей в комплекте 1Объем одного модуля 4 ГБТактовая частота 2400 МГцПропускная способность PC19200CL 17tRCD 17tRP 17Напряжение питания 1.2 ВКоличество рангов 1Количество контактов 260
-
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 M378A2K43CB1-CRCD0
Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1 модуль 16 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет
-
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A2K43CB1-CTD
Тип памяти DDR4 Форм-фактор SODIMM 260-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 1 модуль 16 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 19 RAS to CAS
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43CB1-CTD00
Стандарт: DDR4Форм-фактор: SODIMMОбъем одного модуля: 8 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объем: 8 ГБЭффективная частота: 2666 МГцПропускная способность: 21300 Мб/сПоддержка ECC: НетБуферизованная (регистровая): НетНизкопрофильная: НетКоличество контактов: 260CAS Latency (CL): 19Напряжение питания (В): 1.2 ВНормальная операционная
-
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 M378A1K43CB2-CRC
Оперативная память Samsung [M378A1K43CB2-CRC] 8 ГБ - изделие от крупного бренда. Компания давно занимается изготовлением различных комплектующих. Используются исключительно качественные компоненты для производства планок. Вы сможете быть уверены в надежности, плашка прослужит в течение длительного
-
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2400 МГц DIMM CL17 M393A2K40CB1-CRC
Оперативная память Samsung DDR4 16GB 19200(2400MHz) REG [M393A2K40CB1-CRC4Q]