-
Оперативная память Crucial 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 CT51264BF160BJ
-
Оперативная память Crucial 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 CT102464BF160B
Описание DDR3L 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x8 ГБ, 1.35 В В, CL 11 Подробные характеристики Общие характеристики Тип памяти DDR3L Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с Объем 1 модуль
-
Оперативная память Crucial 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 CT51264BA160B
Современная БУ оперативная память Crucial [CT51264BA160B] 4 Гб – это уникальное устройство, спроектированное и разработанное талантливыми инженерами компании Crucial, а значит, Вы можете быть гарантированно уверены в безукоризненном качестве представленного комплектующего для персонального компьютера.Память Crucial [CT51264BA160B]
-
Оперативная память Crucial 8 ГБ DDR3L 1600 МГц RDIMM CL11 CT102464BD160B
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 Гб форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
-
Оперативная память Crucial 4 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 CT4G3ERSLS8160B
-
Оперативная память Crucial 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11
ОписаниеDDR3L 1600 (PC 12800) SODIMM 204 pin, 1x8 ГБ, 1.35 В , CL 11Подробные характеристикиОбщие характеристикиТип памятиDDR3LФорм-факторSODIMM 204-контактныйТактовая частота1600 МГцПропускная способность12800 МБ/сОбъем1 модуль 8 ГБПоддержка ECCнетПоддержка XMPнетБуферизованная (Registered)нетНизкопрофильная (Low Profile)нетТаймингиCAS Latency (CL)11ДополнительноНапряжение питания1.35 В
-
Оперативная память Crucial 2 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 CT25664BD160B
Стандарт: DDR3Форм-фактор: DIMMВид поставки: RetailОбъем одного модуля: 2 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объем: 2 ГБЭффективная частота: 1600 МГцПропускная способность: 12800 Мб/сПоддержка ECC: НетБуферизованная (регистровая): НетНизкопрофильная: НетКоличество контактов: 240CAS Latency (CL): 11Напряжение питания (В): 1.5
-
Оперативная память Micron 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 MT8KTF51264HZ-1G6
Общие характеристики Тип памяти: DDR3L Форм-фактор: SODIMM 204-контактный Тактовая частота: 1600 МГц Пропускная способность: 12800 МБ/с Объем: 1 модуль 4 ГБ Поддержка ecc: нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency
-
Оперативная память Samsung Basic 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-YK0
тип: DDR3L, объем одного модуля: 4 ГБ, объем одного модуля (точно): 4 ГБ, тактовая частота: 1600 МГц, форм-фактор: SODIMM, количество модулей в комплекте: 1 шт, CL: 11, особенности: Unregistered Подробные характеристики Производитель Samsung Тип DDR3L Объем
-
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 M471B5273CH0-CF8
DDR3 4Gb 1066 Mhz So-Dimm 1Rx8 Samsung M471B5273CH0-CF84GB 1Rx8 PC3-8500S-07-10-F2Производитель : SamsungМодель : M471B5273CH0-CF8Назначение : для ноутбуков, нетбуковФорм-фактор : So-DimmОбъём : 4 GbТип : DDR3Пропускная способность : PC8500Тактовая частота : 1066 MhzРанг : 1Rx8, одноранговаяТайминги :