Модуль памяти Samsung DDR4 SO-DIMM 3200MHz PC-25600 CL11 - 8Gb (M471A1K43DB1-CWE) M471A1K43DB1-CTD / Описание

• Рабочая частота2666 МГц
• Объем памяти8 Гб
• Тип памятиDDR4
• КорпусSO-DIMM
• CAS Latency (CL)19
• Объем одного модуля, гигабайт8 Гб
• Напряжение питания1.2В
• Расположение чиповОдностороннее
• Row Precharge Delay (tRP)19
• Activate to Precharge Delay (tRAS)36
• Система охлажденияНе предустановлена
• Количество контактов260
• Количество модулей в комплекте1
• Стандарт памятиPC-21300
• Пропускная способность, Мегабит/с21300
• RAS to CAS Delay (tRCD)19
• НазначениеДля ноутбука

Модуль памяти Samsung DDR4 SO-DIMM 3200MHz PC-25600 CL11 – 8GB (M471A1K43DB1-CWE) предназначен для установки в современные ноутбуки.
Подходит для работы с ресурсоемкими программами
Позволяет повысить производительность компьютера при выполнении сложных задач. Поддерживает стандарты памяти PC-21300 и PC-25600. Показатели тактовой частоты составляют 2666 МГц, а пропускной способности — 21300 Мбит/с. Устройство имеет форм-фактор SO-DIMM и одностороннее расположение чипов. Другие технические параметры: объем одного модуля составляет 8 Гб; общий объем равен 8 Гб; система охлаждения не предусмотрена; напряжение питания составляет 1,2 В;
CAS Latency (CL) равно 19.
В комплект входит один модуль. Расположение чипов одностороннее. Для установки в компьютер требуется 260 контактов.