Оперативная память из магазина Яндекс.Маркет по возрастанию цены
В разделе «Оперативная память» Вы можете ознакомиться с ценами на товары из множества интернет-магазинов России, узнать о скидках и распродажах. Здесь мы подобрали для Вас товары из интернет-магазина Яндекс.Маркет. Купить выбранный товар Вы можете перейдя на сайт продавца со страниц каталога или из карточки товара. Предложения действительны в течение срока наличия товара на складе.
Выбранным настройкам фильтра соответствует 2569 предложений.
-
Fujitsu Микросхема MB39A126
Микросхема MB39A126, 1 шт. p/n: MB39A126 Цвет: черный Страна: Китай Количество: 1 шт
-
Rocknparts HYB18H1G321AF-11 Память оперативная Qimonda
Категория: радиоэлементы.HYB18H1G321AF-11
-
Rocknparts Модуль памяти HYB18H1G321AF-11
Память оперативная Qimonda. Партномер HYB18H1G321AF-11
-
Infineon Память оперативная 1DGH16-04A1F1C-18X
Категория: радиодетали.Память оперативная 1DGH16-04A1F1C-18X
- Qimonda Память оперативная 1DGH16-04A1F1C-18X
-
ON Semiconductor Микросхема NCP1589DMNTWG
Материнская плата Asus GL552VW REV2.1 i5-6300HQ SR2FP N16P-GT-A2 GTX960M
-
Оперативная память для ноутбука Foxline FL1600D3S11-2G SO-DIMM 2Gb DDR3 1600 MHz FL1600D3S11-2G
Вес - 0,1;
от 380 до 1045 р. -
Оперативная память Kingston 1 ГБ DDR2 800 МГц DIMM CL6 KVR800D2N6 / 1G
Бренд - KINGSTONМодель - KVR800D2N6/1GФорм-фактор - DIMMТип памяти - DDR2Объем модуля - 1024 МБКоличество контактов - 240-pinПоказатель скорости - PC2-6400Буферизация - unbufferedПоддержкаECC - не поддерживаетсяСкорость - 800МГцНапряжение - 1.8ВЛатентность - CL6
-
EMMC Микросхема K4J55323QG-BC14
Микросхема K4J55323QG-BC14, EMMC Samsung, 1 шт. p/n: K4J55323QG-BC14 EMMC Samsung Страна производства: Китай Количество, шт: 1
-
HY5DS573222 Память оперативная Hynix
Категория: радиодетали.тип память оперативная
от 404 до 409 р. -
ON Semiconductor Микросхема NCP6153
NCP6153 NCP6153
-
Hynix Память оперативная HY5DU283222A F-30
Память оперативная Hynix HY5DU283222A F-30
-
W631GG6JB-12 Память оперативная Winbond
Категория: радиодетали.тип память оперативная
от 424 до 429 р. -
Модуль памяти Ankowall SODIMM DDR2, 1ГБ, 800МГц, PC2-6400
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
511 424 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Hynix Память оперативная F-30, HY5DU283222A
память оперативная F-30Партномер HY5DU283222A
-
Оперативная память Samsung DDR2 533 МГц DIMM CL4 m378t6553ez3-cd5
Модуль памяти m378t6553ez3-cd5, DDR2, 512 Мб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
-
Модуль памяти Ankowall SODIMM DDR2, 1ГБ, 533МГц, PC2-4200
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
695 452 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти Kingston DIMM DDR2, 1ГБ, 533МГц, PC2-4200
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
547 474 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти Kingston DIMM DDR2, 1ГБ, 800МГц, PC2-6400
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
547 474 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Micron Модуль памяти DDR3 ECC 1Gb PC3-10600E
Модуль памяти DDR3 ECC 1Gb PC3-10600E, (1333MHz), CL9, 1Rx8 Micron Technology
790 490 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Kingston 524.288 МБ DDR2 667 МГц DIMM CL5 KVR667D2N5 / 512
Оперативная память Kingston KVR667D2N5/512, DDR2, 512MB, 5300 Обратите внимание на внешний вид на фото, перед покупкой!Мы тестируем весь наш товар перед отправкой!1 год гарантии Характеристики: Тип памяти: DDR2Форм фактор: DIMM Тактовая частота: 667 МГцКоличество контактов: 240Объем:
550 495 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет - Hynix Модуль памяти Qimonda 1GB DD2 PC2-5300R 667MHz ECC Reg (HYS72T128000HR-3S-B)
-
Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M378B5674EB0-YK0
999 500 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти Ankowall DIMM DDR2, 1ГБ, 533МГц, PC2-4200
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
786 511 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти Kingston DIMM DDR2, 1ГБ, 667МГц, PC2-5300
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
547 519 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти Kingston SODIMM DDR2, 1ГБ, 533МГц, PC2-4200
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
547 519 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Модуль памяти Kingston SODIMM DDR2, 1ГБ, 667МГц, PC2-5300
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
547 519 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Foxline 1 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 FL1333D3U9-1G
Модуль памяти fl1333d3u9-1G, DDR3, 1 Гб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
-
RFID / NFC модуль PN532 OEM
PN532 - RFID модуль на основе чипа NXP PN532, предназначен для считывания и записи меток 13.56 МГц. Так же модуль может имитировать RFID метку, выступать в качестве NFC устройства. В комплект входит только модуль. Поддерживаемые чипы:
651 521 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Patriot Memory 512 МБ DDR 400 МГц DIMM PSD512400
Модуль памяти psd512400, DDR, 512 Мб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
от 530 до 3545 р. -
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR2 667 МГц FB-DIMM CL5 M395T2953EZ4-CE66
Характеристики: Тип памяти: DDR2Форм фактор: DIMM Тактовая частота: 667 МГцКоличество контактов: 240Объем: 1 модуль 1 ГбПропускная способность: 5300Мб/сНапряжение питания: 1.8 ВПоддержка ECC: есть Мы тестируем весь наш товар перед отправкой!1 год гарантии
от 540 до 4910 р. -
Infineon Оперативная память - HYB18T5256161AFL28
Категория: радиодетали.Память оперативная HYB18T5256161AFL28
-
Память DDR3 SODIMM 1Gb (б / у)
Память DDR3 SODIMM 1Gb (б/у) Alienware M17x, M17xR2, M15x, M14x, M18x, M17xR4, M18xR2, 14 R1, 17 R1, 13, 17 R2, 15 R1, 13 R2 Inspiron 14z (5423), 15R (7520), 17R (7720), 15z (5523), 17 (3721), 17R
-
ON Semiconductor Микросхема NCP302045MNTW
NCP302045 NCP302045
-
Оперативная память Qimonda HYS64T128000EU-2.5-C2, DDR2, 1GB, 6400 ОЕМ
Характеристики – Тип DDR2, DIMM, 240-контактнаяОбъем - 1 Гб Спецификации: Тактовая частота - 800 МГцПропускная способность - 6400 Мб/сНапряжение питания - 1.8 ВТайминги - CL 6
-
Память для ноутбука Sodimm DDR2 2GB PC2-6400 (800Мгц)
Память для старых ноутбуков с ДДР2. Советуем перед покупкой проконсультироваться с нами о совместимости.
730 590 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Kingston 2 ГБ DDR2 SODIMM CL6 KVR800D2S6 / 2G
Заметному приросту работоспособности ноутбучного устройства может поспособствовать замена модулей памяти, имеющих недостаточный объем на более современные, имеющие расширенный показатель объема. Можно установить дополнительную планку памяти, если количество соответствующих слотов на материнской плате позволяет это. Так, можно
1000 600 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Kingston ValueRAM 2 ГБ DDR2 800 МГц DIMM CL6 KVR800D2N6 / 2G
Основные характеристики Вес (грамм) 37 Количество контактов 240 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле - Линейка - Модель KVR800D2N6/2G Напряжение (В) 1.8 Низкопрофильная нет Общий объем памяти (ГБ) 2 Объем одного модуля
от 600 до 2915 р. -
Micron Оперативная память Crucial 2 ГБ DDR2 667 МГц SODIMM CL6
Оперативная память DDR2 (2GB), SODIMM - 667MHz Латентность: CL6. Напряжение питания: 1.8В
1650 610 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Hynix 1 ГБ DDR3 1066 МГц DIMM HMT112S6AFR6C-G7
Модуль памяти hmt112s6afr6c-g7, DDR3, 1 Гб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
-
ON Semiconductor Микросхема NCP303150MNTWG
Микросхема - p/n NCP303150MNTWG p/n: NCP303150MNTWG Страна производства: Китай Количество, шт: 1
-
Оперативная память SODIMM DDR2 2Гб 667 mhz для ноутбука
Оперативная память для ноутбука Samsung DDR2 2Gb 667 MHz PC2-5300S M470T5663QZ3-CE6 для ноутбуков. Для ПК не подходит.
1690 638 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Neo forza Оперативная память neoforza 2 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 NMUD320C81-1600DA10
Модуль памяти DDR3 2 Гб x 1 шт. PC3-12800 (DDR3 1600 МГц) Напряжение: 1.35 В (LV DDR3)
-
Оперативная память Hynix SODIMM DDR2 2Гб 800 mhz
Оперативная память для ноутбука Hynix DDR2 2Gb 800 MHz PC2-6400S HYMP125S64CP8-S6 для ноутбуков. Для ПК не подходит.
1850 640 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Hynix 2 ГБ DDR2 800 МГц SODIMM CL6 HYMP125S64CP8-S6
Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM 200-контактный Тактовая частота 800 МГц Пропускная способность 6400 Мб/с Объем 1 модуль 2 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 6 Напряжение питания 1.8
750 649 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Micron Модуль памяти MT18HTF12872AY-53EB1, DDR2, 1 Гб для срвера ОЕМ
Модуль памяти MT18HTF12872AY-53EB1, DDR2, 1 Гб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
-
Оперативная память Apacer 78.01GA0.9L5, DDR2, 1GB, 6400 ОЕМ
Оперативная память Apacer 78.01GA0.9L5, DDR2, 1GB, 6400 Мы тестируем весь наш товар перед отправкой!1 год гарантии Характеристики: Тип памяти: DDR2 Форм фактор: DIMM Тактовая частота: 800 МГцКоличество контактов: 240Пропускная способность: 6400 Мб/сОбъем: 1 модуль 1GbНапряжение питания:
-
Оперативная память Samsung 2 ГБ DDR2 800 МГц DIMM CL6 M470T5663QZ3-CF7
ОсновныеСуммарный объем памяти 2 ГБЕмкость одного модуля 2 ГБТип памяти DDR2Тактовая частота, МГц 800Количество модулей в комплекте 1 Заводские данныеПропускная способность, Мб/с 6400CAS Latency (CL) 6 тактовТайминги 6Напряжение питания, В 1.8
от 650 до 2915 р. -
InkTec Чернила для Epson L100, L110, L120, L132, L200, L222, L300, L800, L810, 1500W и др, 1 шт, краска для заправки струйного принтера
Водорастворимые чернила для струйных принтеров и МФУ Epson: Epson L100, L110, L120, L132, L200, L210, L222, L300, L800, L805, L810, L850, L1800, 1500W. Совместимы с картриджами:Epson T6641 Black, Epson T0551 Black Тип: водорастворимыеЧернила предназначены для заправки
Цвет:
1504 651 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Оперативная память Kingston 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 KVR16S11 / 4
Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 11
от 651 до 1429 р. -
Модуль памяти Ankowall DIMM DDR3, 2ГБ, 1600МГц, PC3-12800
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
754 656 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
OEM Контроллер BD9897FS, SO-32
ОЕМ
-
Оперативная память Kingston ValueRAM 2 ГБ DDR3 DIMM CL9 KVR1333D3N9 / 2G
ОписаниеОперативная память DDR- III Kingston KVR1333D3N9/2G объемом 2048 МБ работает на частоте 1333 МГц.Основные характеристики Количество контактов 240 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Линейка - Модель KVR1333D3N9/2G Напряжение (В) 1.5 Низкопрофильная Да Общий объем памяти
от 664 до 1970 р. -
Модуль памяти Kingston DIMM DDR3, 2ГБ, 1600МГц, PC3-12800
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны
780 676 р.Перейти в магазин
Яндекс.Маркет -
Память DDR2 SODIMM 2Gb PC-6400 (б / у)
Память DDR2 SODIMM 2Gb (б/у) Asus F50, F50G, F50GX, F50Q, F50S, F50SF, F50SL, F50SV, F50Z, F55A F70SL G50V G50VT G70S G71G G71GX G72 G72GX K40AB K40AC K40AD K40AE K40AF K40C K40ID K40IJ K40IL K40IN K40IP K50AB
-
Оперативная память Crucial 2 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 CT25664BA1339
Оперативная память Crucial отличается легкой установкой на материнскую плату и возможностью использования в качестве единственного контроллера, отвечающего за использование оперативной памяти. Наблюдается отличная совместимость с модулями ранних моделей или от других производителей. Предусматривается высокая пропускная способность,
-
Оперативная память Unifosa GU341G0ALEPR6B2C6CE, DDR2, 1GB, 6400 ОЕМ
Оперативная память Unifosa GU341G0ALEPR6B2C6CE, DDR2, 1GB, 6400 Мы тестируем весь наш товар перед отправкой!1 год гарантии Характеристики: Тип памяти: DDR2Тактовая частота: 800 МГцКоличество контактов: 240Объем: 1 модуль 1 ГбНапряжение питания: 1.8 ВПоддержка ECC: нет
-
Оперативная память Crucial 2 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 CT25664BD160B
Стандарт: DDR3Форм-фактор: DIMMВид поставки: RetailОбъем одного модуля: 2 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объем: 2 ГБЭффективная частота: 1600 МГцПропускная способность: 12800 Мб/сПоддержка ECC: НетБуферизованная (регистровая): НетНизкопрофильная: НетКоличество контактов: 240CAS Latency (CL): 11Напряжение питания (В): 1.5
от 699 до 900 р. -
Оперативная память Samsung 1 ГБ DDR 266 МГц DIMM CL2.5 M312L2828DT0-CB0
Модуль памяти 09N4308, M312L2828DT0-CB0 KIT, DDR, 1 Гб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.
-
Nanya Память оперативная NT5TU256T8DY-AD
Категория: радиодетали.память оперативная NT5TU256T8DY-AD
от 701 до 708 р.